睽违三个月512M DDRⅡ 重登2美元 现货近期涨幅近三成，可望激励7月合约价反弹，类股添利多。

睽违三个月512M DDRⅡ 重登2美元 现货近期涨幅近三成，可望激励7月合约价反弹，类股添利多。

       韩系大厂减少在DRAM现货市场倒货，加上中国华南地区严抓走私的DRAM，深圳地区的通路商积极备货，导致昨（20）日DDRⅡ512Mb eTT现货价格飙涨逾11%、报价2.04美元，是近三个月来首度站回2美元以上。累计DDRⅡ现货价格近期涨幅接近三成，激励7月合约价止跌反弹。
       台某机构昨天表示，DDRⅡeTT价格涨势惊人，甚至已经超越品牌价格形成“黄金交叉”。依以往历史经验观察，将有机会带动现货市场的品牌颗粒产品价格上扬。
       根据昨日傍晚最新报价，DDRⅡ512Mb有效测试每颗报2.04美元，涨幅达11.36%；完全测试的原厂颗粒报价2.21美元，涨幅更是高达16.68%。
       现货价急涨，7月合约价反弹有望，DRAM股乍见春天，短多行情可期。南科（2408）、华亚科（3474）昨天股价率先止跌反弹，相继收涨0.15元及0.45元，终场分别收在28.8元及40元整。
       茂德（5387）业务副总曾邦助说，市场需求并没有减少，现货价近期飙涨，与大厂停止倒货有很大的关系，势必牵动7月份的合约价格。目前现货价变动快速，茂德6月业绩能否止跌回稳，将密切观察。
       力晶（5346）发言人谭仲民指出，DRAM价格已“跌无可跌”，近期现货价反弹相当合理。下半年旺季来临，行情应该会渐入佳境。至于力晶6月营收仍有待观察，毕竟目前价格一日数变。
       其他业界则认为，韩系大厂近期调拨产能转为生产Flash，且以55奈米制程来生产Flash。7月份标准型记忆体DDRⅡ产出可望下降15%至20%的幅度。
       该机构表示，中国华南地区最近严抓走私DRAM，使的深圳地区的通路商积极备货，也带动价格上涨。
       一般DRAM产品经由海关进入中国市场，必须要课征17%的关税。因此对于价格波动非常大的现货市场，从香港走私进去的DRAM产品成为部份大陆通路商的竞争模式。近期严抓走私的政策，相关厂商为了避免缺货积极备货，带动DRAM现货价格的上涨。
       该机构说，台系DRAM厂商纷纷转进70奈米，使得5、6月份产出减少。虽然减少幅度不大，但由于台系厂商主要供货到现货市场为主，在预期现货市场供给量减少的情况下，带动现货市场报价大幅反弹。
       不过，相较于台湾厂商的乐观，美光（Micron）、奇梦达（Qimonda）则持较保守的看法。奇梦达日前才表示，DRAM价格虽因PC厂商开始替返校购物潮预建库存而稳定下来，但现在谈市况是否已触底的问题仍嫌过早。