DRAM三雄5月营收趋势比较
DRAM价格大跌效应陆续引爆，第二季能否持续获利已充满变量。指标厂力晶（5346）4日公布5月营收仅52.28亿元，创近13个月来新低，与元月高点117.3亿元相较，业绩呈现「腰斩」；南科（2408）等DRAM芯片制造业者也认为，5月DRAM价格「跌太凶」，业绩表现势必受到影响。
DRAM价格持续走跌，512Mb DDRII颗粒5月跌破2美元大关，下探业者生产成本。力晶5月营收52.28亿元，较4月下滑逾15%，不如去年同期的63亿元；南科也认为5月营收会比4月呈现两位数的衰退。
因产品跌价带来冲击，本土DRAM厂5月营收恐怕都将出现近一年多来，首度年增率「负成长」的尴尬情况。受营收衰退利空影响，DRAM厂4日股价普遍偏弱，力晶、华亚科都收平盘，南科、茂德则收小黑。
DRAM厂除了营收明显衰退外，能否持续获利也受考验。后段封测业者分析，以512Mb DDRII为例，芯片制造商12寸厂每颗生产变动成本约1.2 美元，加计固定成本及后段封测成本，每颗DRAM颗粒总生产成本超过2美元，分析现阶段DRAM厂要赚钱，并不太可能。
市调机构iSuppl认为，由于价格暴跌、产能增加迅速及业者高估Vista刺激市场需求等因素，今年第二季全球所有DRAM 芯片制造商恐都难逃亏损，是民国90年来首见，估计第二季全球DRAM业者的加权平均营益率为-19%，上次全球DRAM业者加权平均营益率呈现负值，是在92年第二季，当时仅韩国三星电子呈现获利。
DRAM业者对于市场状况发展仍不看淡。力晶表示，5月营收衰退，主要反应DRAM价格暴跌冲击，至于第二季是否会亏钱，目前「没有确切数字」。但由于代工出货量成长、12 吋厂的新产能持续开出以及70奈米制程开始投产，对后续的营运展望仍审慎乐观。
南科也认为，第二季要赚钱确实「有压力」，但目前DRAM价格应该已经是落底阶段，价格反弹值得期待，尤其先前NAND Flash市况较强，部分原本DRAM生产产能转生产NAND Flash 的效应，7月起陆续发酵，届时DRAM供给势必减少，有助市况发展。
DRAM价格持续走跌，512Mb DDRII颗粒5月跌破2美元大关，下探业者生产成本。力晶5月营收52.28亿元，较4月下滑逾15%，不如去年同期的63亿元；南科也认为5月营收会比4月呈现两位数的衰退。
因产品跌价带来冲击，本土DRAM厂5月营收恐怕都将出现近一年多来，首度年增率「负成长」的尴尬情况。受营收衰退利空影响，DRAM厂4日股价普遍偏弱，力晶、华亚科都收平盘，南科、茂德则收小黑。
DRAM厂除了营收明显衰退外，能否持续获利也受考验。后段封测业者分析，以512Mb DDRII为例，芯片制造商12寸厂每颗生产变动成本约1.2 美元，加计固定成本及后段封测成本，每颗DRAM颗粒总生产成本超过2美元，分析现阶段DRAM厂要赚钱，并不太可能。
市调机构iSuppl认为，由于价格暴跌、产能增加迅速及业者高估Vista刺激市场需求等因素，今年第二季全球所有DRAM 芯片制造商恐都难逃亏损，是民国90年来首见，估计第二季全球DRAM业者的加权平均营益率为-19%，上次全球DRAM业者加权平均营益率呈现负值，是在92年第二季，当时仅韩国三星电子呈现获利。
DRAM业者对于市场状况发展仍不看淡。力晶表示，5月营收衰退，主要反应DRAM价格暴跌冲击，至于第二季是否会亏钱，目前「没有确切数字」。但由于代工出货量成长、12 吋厂的新产能持续开出以及70奈米制程开始投产，对后续的营运展望仍审慎乐观。
南科也认为，第二季要赚钱确实「有压力」，但目前DRAM价格应该已经是落底阶段，价格反弹值得期待，尤其先前NAND Flash市况较强，部分原本DRAM生产产能转生产NAND Flash 的效应，7月起陆续发酵，届时DRAM供给势必减少，有助市况发展。