安森美推出新集成充电和电源开关解决方案
全球高效电源管理解决方案供应商安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 为手机等小形状系数便携电子产品推出集成充电和电源开关电路NUS3116。这电路整合了主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关于一身，优化手持电子产品的充电性能和节省弥足珍贵的电路板占用空间。
NUS3116 集成了主电源开关 ?12 伏 (V)、?6.2 安培 (A) 的 μCool? 单 P 沟道 MOSFET，处理主电池开关功能；它还集成了两个内部低饱和 PNP 晶体管，处理双沟道充电功能。其中，主开关MOSFET的最大漏-源极导通阻抗 (RDS(ON)) 为 40 m?，尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低 Vce(sat) 晶体管为高达 2 A 的充电电流提供良好的热性能，且在充电结束时的 Vce 电压降低少于 240 mV。
NUS3116 采用无铅型 DFN-8 封装，仅占用 9 平方毫米 (mm2) 电路板空间，与使用三颗 TSOP-6 封装需要互连空间的传统解决方案相比，节省了超过 20 mm2 板级空间。这种封装的高度仅为0.8 mm，使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用 NUS3116 集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
NUS3116 现已供货，每3,000片的批量单价为 0.80 美元。
NUS3116 集成了主电源开关 ?12 伏 (V)、?6.2 安培 (A) 的 μCool? 单 P 沟道 MOSFET，处理主电池开关功能；它还集成了两个内部低饱和 PNP 晶体管，处理双沟道充电功能。其中，主开关MOSFET的最大漏-源极导通阻抗 (RDS(ON)) 为 40 m?，尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低 Vce(sat) 晶体管为高达 2 A 的充电电流提供良好的热性能，且在充电结束时的 Vce 电压降低少于 240 mV。
NUS3116 采用无铅型 DFN-8 封装，仅占用 9 平方毫米 (mm2) 电路板空间，与使用三颗 TSOP-6 封装需要互连空间的传统解决方案相比，节省了超过 20 mm2 板级空间。这种封装的高度仅为0.8 mm，使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用 NUS3116 集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
NUS3116 现已供货，每3,000片的批量单价为 0.80 美元。