第2季NAND Flash市场达30亿美元 成长10% 三星拿下45.9%市占率 拉大与对手之间距离
构报告显示，全球NAND Flash走出第1季的谷底，在第2季(4~6月)明显回温，市场规模分别较前1季和2006年同期成长14%、10%，上看30亿美元。其中三星电子(Samsung Electronics)仍然掌控全球NAND Flash市场主导权，以销售额14亿美元的成绩拿下45.9%市占率。有监于厂商纷纷调节产能，以及三星日前产能中断影响，市场供给将更为吃紧，有助于价格上涨，第3季市况将会更为复苏。
季表现抢眼，市占增加1.8个百分点至45.9%，更拉大与对手之间的距离，与排名第2的东芝(Toshiba)市占率27.5%相比，两者相差18.4个百分点。分析师表示，三星强劲的表现主要因出货量成长所致，拜苹果(Apple)iPhone和iPod等其它消费性电子产品需求旺盛所赐，三星第2季位元成长率达11%，反观东芝受限于制程移转至56奈米技术，第2季位元成长率仅为2%；此外，排名第3的海力士(Hynix)同样受到制程问题影响，该公司导入60奈米技术出现漏洞，导致该季出货量(以位元为计)衰退4%。
指出，由于NAND Flash厂商调节产能、减缓产量成长，加上部分业者面临制程转换困难，使得NAND Flash供给在第2季转向吃紧，平均售价(ASP)和厂商销售额因此攀升，市场正在逐渐复苏当中，预期厂商下半年营运成绩将会获得改善。
值得一提的是，分析师原预期NAND Flash价格涨势可能因厂商加速增产而在8月告一段落，然而受到三星NAND Flash厂在8月初因停电造成生产线停摆，也为供需情况带来新的转机。
虽三星强调对于产能不会造成重大影响，然而市调机构认为受损产能约占三星当月10%的产能比重，约占第3季全球NAND Flash产能的1%，如此将挹注三星和其同业价格上升将使得市场供给受限，有助于ASP再涨，预期供给吃紧的情况将会延续至8月底。
预期第2季面临制程转换问题的东芝和海力士，产能将在第3季呈现大幅跃升，随著东芝顺利导入56奈米制程，估计第3季出货量将增加逾3成，而海力士则因逐渐转至12寸晶圆产线，产能可望跃升1倍。
季表现抢眼，市占增加1.8个百分点至45.9%，更拉大与对手之间的距离，与排名第2的东芝(Toshiba)市占率27.5%相比，两者相差18.4个百分点。分析师表示，三星强劲的表现主要因出货量成长所致，拜苹果(Apple)iPhone和iPod等其它消费性电子产品需求旺盛所赐，三星第2季位元成长率达11%，反观东芝受限于制程移转至56奈米技术，第2季位元成长率仅为2%；此外，排名第3的海力士(Hynix)同样受到制程问题影响，该公司导入60奈米技术出现漏洞，导致该季出货量(以位元为计)衰退4%。
指出，由于NAND Flash厂商调节产能、减缓产量成长，加上部分业者面临制程转换困难，使得NAND Flash供给在第2季转向吃紧，平均售价(ASP)和厂商销售额因此攀升，市场正在逐渐复苏当中，预期厂商下半年营运成绩将会获得改善。
值得一提的是，分析师原预期NAND Flash价格涨势可能因厂商加速增产而在8月告一段落，然而受到三星NAND Flash厂在8月初因停电造成生产线停摆，也为供需情况带来新的转机。
虽三星强调对于产能不会造成重大影响，然而市调机构认为受损产能约占三星当月10%的产能比重，约占第3季全球NAND Flash产能的1%，如此将挹注三星和其同业价格上升将使得市场供给受限，有助于ASP再涨，预期供给吃紧的情况将会延续至8月底。
预期第2季面临制程转换问题的东芝和海力士，产能将在第3季呈现大幅跃升，随著东芝顺利导入56奈米制程，估计第3季出货量将增加逾3成，而海力士则因逐渐转至12寸晶圆产线，产能可望跃升1倍。