DRAM和 Flash景气续增温 南茂挟其优势左右逢源

DRAM和 Flash景气续增温 南茂挟其优势左右逢源

     随著台湾DRAM厂下半年积极跨入70奈米制程，其中茂德转换制程较顺，效益逐渐显现，对后段封装需求增加，业者封装产能利用率回升，据了解，南茂集团第3季封装产能利用率将因此回升至85%。此外，南茂在NOR型快闪存储器(Flash)领域著墨较深，在旺季效应下，主要客户订单增温，Flash比重进一步提升，预期到第3季将可达到20%，符合董事长郑世杰的预期。
    
     受惠于近期DRAM价格止跌回稳，使台系DRAM厂6月营收皆较5月提升，着眼于未来价格持续上涨幅度有限，降低生产成本才是确保获利的不二法门，因此各家皆积极转进70奈米制程。目前在主要台湾DRAM大厂中，茂德7月高于6月产出量已逐渐增加，显示转换进度较为顺利，同时晶圆三厂预计10月所有投片采用70奈米制程；华亚科亦预计在第3季开始量产，力晶12A、12B厂投片量已有70%以上导入新制程，且良率不高问题已获解决。
    
     在客户陆续导入70奈米制程下，晶圆产出增加，有助于提升后段封装需求，以台湾DRAM客户为主的南茂集团估计封装产能利用率将自第2季80%~85%，在第3季提升为85%以上。未来DRAM厂制程转换顺利与否仍须密切观察，因此现仍无预期第4季情况。
    
     另外，NOR Flash亦为南茂集团积极拓展的业务，该公司认为，NOR Flash业务下半年成长力道亦不容小觑。由于在成本考量下，NOR Flash厂释出封测订单的情况将更为明确，其NOR龙头厂Spansion已表态后段产能不再予以投资扩充，未来委外代工的情况更加明显，将受惠于台湾的封测代工伙伴南茂、京元电跟力成。
    
     南茂支应客户需求，计划第3季装机完成，估计NOR Flash比重将进一步提升。2006年底Flash比重17%，全年比重为15%。该公司董事长郑世杰希望2007年Flash比重可以向上提升为20%，预计第3季即可达到上述目标。