DRAM价跌破1美元

来源:联合新闻网 作者: 时间:2007-11-09 18:38

     DRAM行情不振,512Mb DDRII有效测试颗粒(eTT)报价再度失守1美元价位,且离历史低点不远,加上11月合约价持续走跌,DRAM业者第四季亏损压力扩大,DRAM类股昨(8)日全数躺平,华邦电股价跌破10元,是今年以来继茂德后,第二档股价跌破面额的DRAM股。
    
     根据集邦科技(DRAMeX-change)昨天报价,512Mb DDRII有效测试颗粒报价持续走跌,均价0.97美元,离前波历史低点0.95美元不远。累计第四季以来价格疲弱状况仍未见改善,价格跌幅达11.01%,单单这一周来价格便掉了7.62% 。
    
     DRAM厂的业绩也反映价格走跌的趋势,在已公布10月业绩的业者中,仅力晶在70奈米制程大量量产效益带动下,逆势较9月成长3%,茂德、华邦月衰退幅度与DRAM价格走势相当,都在一成以上;南科预计今(9)日公布营收,预期也将跌破40亿元大关,比9月衰退一成左右。
    
     法人指出,DRAM价格已跌破业者成本,DRAM厂第四季仍面临庞大亏损压力。德意志证券认为,DRAM价格持续崩跌的状况要到农历年后才会好转,重申卖出茂德与南科,目标价各为8元及13.8元。
    
     亏损阴霾仍在,资金陆续撤出DRAM族群,力晶、南科、华亚科、茂德、华邦电昨天均曾触及跌停价位;两大模块厂威刚、创见同受连累,都以跌停收盘。
    
     业者对于第四季营运展望也趋于保守。茂德指出,现阶段来自PC、NB的需求不弱,带动ODM厂商对DRAM的买气并未消失,由于OEM仍是支配DRAM现货价格的主导力量,分析目前DRAM需求并不差,只是厂商本身的库存水位比正常高许多,第四季营运与未来走势仍须保守看待。
    

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