北京电子信息材料领域技术的现状及优势
一、北京电子信息材料领域技术的现状及优势
北京信息产业已经成为首都经济发展的重要支柱产业，2006年，北京信息产业的工业增值超过1300亿，占全市GDP的16.6%，信息产业的快速发展强劲拉动了我市电子信息材料产业的发展。目前，北京电子信息材料领域已经初具规模，整体技术水平居于国内领先地位。优势产业主要集中在集成电路配套材料、光电显示材料和磁性材料三大领域。
首先我们来看集成电路配套材料领域。北京聚集了中科院半导体所、中科院物理所、有色金属研究总院等多家国家半导体材料领域的顶尖级科研机构，科研成绩显著。已成功研制出具有自主知识产权的12英寸掺氮硅单晶、研制出新型的半绝缘磷化铟晶片，在氮化镓基器件的基础材料和器件技术以及关键装备方面取得了集群性突破。例如在12英寸硅片的工程化技术，8英寸锗硅外延实验室技术、248纳米光刻胶工程化技术、193纳米光刻胶实验室技术等方面都居于国内领先水平。北京已经建立起涵盖硅及硅基材料、光刻胶等十余种关键电子信息材料在内的产业链，是国内最重要的硅材料研发和生产基地。此外，北京在键合金丝、光刻胶以及氧塑封料等集成电路配套材料的研发方面也有较好的技术优势。
其次是光电子材料领域，北京光电子材料领域主要集中在半导体的照明材料、光电显示材料、激光材料等方面。在半导体照明材料方面，中科院半导体所、中科院物理所、北京大学、清华大学、北京工业大学等诸多技术力量，在半导体照明用外延材料及芯片的研究方面领域都具有国内较强的科研实力，并初步形成了半导体照明材料研发、器件设计和管芯制备、封装、测试和应用等各个环节，相对完整的技术链;在光电显示材料方面，北京TFT-LCD面板生产技术水平处在世界先进行列，在OLED相关材料、器件、模块等方面拥有各类专利60多项，并一直领跑国内的OLED的显示屏研发和生产;在激光材料方面，借助于中电科技集团11所、中科院理化所、北京光电技术研究所、国科激光、海特光电等单位的科研优势，北京成为国内激光晶体和非线性光学晶体的研发重地，在非线性晶体研究、大功率激光二极管以及紫外、深紫外全固态激光器研究方面拥有多项自主知识产权，处于国际领先地位。
第三在磁性材料领域，北京作为国内科技资源非常丰富的地区，磁性材料领域不仅集中相关高校的优势，还有3家国家重点实验室，2家国家工程技术中心，2家国家工程研究中心。北京在磁性材料方面的优势主要体现在铁氧体、稀土永磁中的钕铁硼和钕铁氮等方面，无论是技术研发、还是产业规模均在国内外竞争中占据优势的地位。例如“北矿磁材公司”开发的铁氧体永磁生产技术，打破了日本对我国的技术封锁，推动了国内磁性材料和器件行业的技术进步和发展;北京大学杨应昌院士带领的研究团队，攻克了钕铁氮磁性材料关键制备技术，成为稀土永磁材料中唯一拥有我国自主知识产权的永磁材料，并具有国际领先水平，不仅提高了我国磁性材料产业技术水平，也打破了国外对我国的技术封锁。
二、北京市电子信息领域科技工作的进展和收获
“十五”以来，北京市科委围绕信息产业发展需求，重点开展两方面工作，一方面通过实施科技项目，集成和发挥科技资源的优势，不断提升重点产业的创新能力和核心竞争力。另一方面，通过搭建条件资源服务平台和信息资源服务平台等工作，为领域内自主创新能力的提升提供共性技术的支撑和优质的科技服务。
在科技计划项目实施方面，“十五”以来，北京市在信息产业相关的材料领域先后共实施了16个科技计划的重点项目，共投入科技经费1亿7百多万元，吸引了社会资金3亿3千多万元。重点支持了半导体硅材料、半导体照明材料、激光材料及器件、钕铁氮永磁材料等方面的发展，并取得以下三个方面的成绩：
1. 在集成电路配套材料研制方面形成国内领先优势，扭转长期依赖进口的局面。
通过实施“直径12英寸硅单晶抛光片的研制及相关材料工程化应用研究”和“集成电路互连线制造用高纯金属/合金靶材的的关键技术研究以及产业化”等4个科技项目，研究开发出满足100纳米宽集成电路需求的12英寸的硅单晶抛光片，集成电路制造用的高纯金属/合金靶材，实现12英寸硅单晶抛光片的大规模国产化生产。另外，在砷化镓和片材研究方面也取得重大进展和突破，缩小与国际先进水平的差距。
2. 在光电子材料和器件研究与应用方面突破了多项关键技术，知识产权与技术创新硕果累累。
我们通过“产生红绿蓝三基色激光的晶体材料和元件研究”、“半导体激光器产业化关键技术研究”等6个项目的实施，在激光方面，不仅完成了大尺寸晶体生产的关键技术研究，重点突破了超光滑表面的抛光工艺的关键技术，为全世界在该领域的基础研究和应用作出重大贡献，还在LED倾向外延生长技术、激光剥离技术等方面形成突破，形成20余项国内专利，特别是氮化镓单芯片实现白光、单有源区域隧道结实现白光的发光技术等方面形成三项原创性国际专利，突破了国外的专利覆盖;在激光材料运用方面，突破了DVD用半导体激光器外延片、大功率半导体激光器、光通信用半导体激光器批量化生产的关键技术，并实现了规模化生产，在国内首次实现60英寸激光投影大屏幕显示的原理性演示装置，获得了色彩鲜艳、图像清晰的DVD动态图象。此外，完成激光打标机、激光切割机等应用方面的整机开发，为国内大功率全固态激光器的大规模应用奠定了良好的技术基础。
3. 在磁性材料基础研究与工程化技术开发方面，形成了国际先进的技术和明显的产业优势。
通过实施“新型稀土永磁材料钕铁氮产业化开发研究”等六个项目，对钕铁硼在基础研究和产业化关键技术研究方面给予支持，开发高性能的N50系列的产品，大大推动了我国的钕铁硼磁性材料的技术进步。此外，北京在国内率先完成了钕铁氮稀土磁性材料的开发，开发出具有自主产权的批量生产钕铁氮的新工艺，绕开了国外专利技术壁垒，取得了我国拥有完全拥有自主产权的技术成果，实现了新型稀土磁性材料研究方面的历史性突破。
三、我想介绍一下下阶段北京市电子信息材料领域科技工作的设想
“十五”以来，北京市科委通过积极努力，开展新材料领域取得的一些有目共睹的成绩，尤其是信息产业相关的材料领域成绩斐然，下一阶段将在市科技工作的整体思路指导下，认真贯彻“需求导向、主题引题、汇聚资源、领域支撑、示范带动”20字工作方针，深入落实“八大科技工作的主题计划”，围绕重点产业发展的需求和国家战略的需求，首都城市建设和城市管理的需求，通过实施一批技术攻关项目和营造良好的创新环境，集成和发挥科技优势，不断提升新材料领域自主创新的能力，使新材料技术更好地服务于首都经济和社会的发展，努力推动新材料领域转变为社会发展的竞争优势。
在电子信息材料领域，下一阶段科技工作的重心将集中在大力支持集成电路配套材料方面，配合国家集成电路重大专项的实施，充分发挥北京在以集成电路为主导的微电子领域的多方面的科技资源的优势，开展跨领域、多学科的产学研相结合的技术公关，通过大规模的关键材料的技术，积极推进北京电子信息材料领域的发展，有利支撑北京和国内信息产业的发展。
北京市科委将对大规模集成电路关键材料的开发，从以下四个具体方面来支撑首都电子信息材料领域的发展：一是先进半导体硅材料技术的研究，二是高端光刻胶产业化关键技术的研究，三先进互连材料的开发及产业化，四是先进封装用材料的开发和产业化。
（来源：chinaceca）
北京信息产业已经成为首都经济发展的重要支柱产业，2006年，北京信息产业的工业增值超过1300亿，占全市GDP的16.6%，信息产业的快速发展强劲拉动了我市电子信息材料产业的发展。目前，北京电子信息材料领域已经初具规模，整体技术水平居于国内领先地位。优势产业主要集中在集成电路配套材料、光电显示材料和磁性材料三大领域。
首先我们来看集成电路配套材料领域。北京聚集了中科院半导体所、中科院物理所、有色金属研究总院等多家国家半导体材料领域的顶尖级科研机构，科研成绩显著。已成功研制出具有自主知识产权的12英寸掺氮硅单晶、研制出新型的半绝缘磷化铟晶片，在氮化镓基器件的基础材料和器件技术以及关键装备方面取得了集群性突破。例如在12英寸硅片的工程化技术，8英寸锗硅外延实验室技术、248纳米光刻胶工程化技术、193纳米光刻胶实验室技术等方面都居于国内领先水平。北京已经建立起涵盖硅及硅基材料、光刻胶等十余种关键电子信息材料在内的产业链，是国内最重要的硅材料研发和生产基地。此外，北京在键合金丝、光刻胶以及氧塑封料等集成电路配套材料的研发方面也有较好的技术优势。
其次是光电子材料领域，北京光电子材料领域主要集中在半导体的照明材料、光电显示材料、激光材料等方面。在半导体照明材料方面，中科院半导体所、中科院物理所、北京大学、清华大学、北京工业大学等诸多技术力量，在半导体照明用外延材料及芯片的研究方面领域都具有国内较强的科研实力，并初步形成了半导体照明材料研发、器件设计和管芯制备、封装、测试和应用等各个环节，相对完整的技术链;在光电显示材料方面，北京TFT-LCD面板生产技术水平处在世界先进行列，在OLED相关材料、器件、模块等方面拥有各类专利60多项，并一直领跑国内的OLED的显示屏研发和生产;在激光材料方面，借助于中电科技集团11所、中科院理化所、北京光电技术研究所、国科激光、海特光电等单位的科研优势，北京成为国内激光晶体和非线性光学晶体的研发重地，在非线性晶体研究、大功率激光二极管以及紫外、深紫外全固态激光器研究方面拥有多项自主知识产权，处于国际领先地位。
第三在磁性材料领域，北京作为国内科技资源非常丰富的地区，磁性材料领域不仅集中相关高校的优势，还有3家国家重点实验室，2家国家工程技术中心，2家国家工程研究中心。北京在磁性材料方面的优势主要体现在铁氧体、稀土永磁中的钕铁硼和钕铁氮等方面，无论是技术研发、还是产业规模均在国内外竞争中占据优势的地位。例如“北矿磁材公司”开发的铁氧体永磁生产技术，打破了日本对我国的技术封锁，推动了国内磁性材料和器件行业的技术进步和发展;北京大学杨应昌院士带领的研究团队，攻克了钕铁氮磁性材料关键制备技术，成为稀土永磁材料中唯一拥有我国自主知识产权的永磁材料，并具有国际领先水平，不仅提高了我国磁性材料产业技术水平，也打破了国外对我国的技术封锁。
二、北京市电子信息领域科技工作的进展和收获
“十五”以来，北京市科委围绕信息产业发展需求，重点开展两方面工作，一方面通过实施科技项目，集成和发挥科技资源的优势，不断提升重点产业的创新能力和核心竞争力。另一方面，通过搭建条件资源服务平台和信息资源服务平台等工作，为领域内自主创新能力的提升提供共性技术的支撑和优质的科技服务。
在科技计划项目实施方面，“十五”以来，北京市在信息产业相关的材料领域先后共实施了16个科技计划的重点项目，共投入科技经费1亿7百多万元，吸引了社会资金3亿3千多万元。重点支持了半导体硅材料、半导体照明材料、激光材料及器件、钕铁氮永磁材料等方面的发展，并取得以下三个方面的成绩：
1. 在集成电路配套材料研制方面形成国内领先优势，扭转长期依赖进口的局面。
通过实施“直径12英寸硅单晶抛光片的研制及相关材料工程化应用研究”和“集成电路互连线制造用高纯金属/合金靶材的的关键技术研究以及产业化”等4个科技项目，研究开发出满足100纳米宽集成电路需求的12英寸的硅单晶抛光片，集成电路制造用的高纯金属/合金靶材，实现12英寸硅单晶抛光片的大规模国产化生产。另外，在砷化镓和片材研究方面也取得重大进展和突破，缩小与国际先进水平的差距。
2. 在光电子材料和器件研究与应用方面突破了多项关键技术，知识产权与技术创新硕果累累。
我们通过“产生红绿蓝三基色激光的晶体材料和元件研究”、“半导体激光器产业化关键技术研究”等6个项目的实施，在激光方面，不仅完成了大尺寸晶体生产的关键技术研究，重点突破了超光滑表面的抛光工艺的关键技术，为全世界在该领域的基础研究和应用作出重大贡献，还在LED倾向外延生长技术、激光剥离技术等方面形成突破，形成20余项国内专利，特别是氮化镓单芯片实现白光、单有源区域隧道结实现白光的发光技术等方面形成三项原创性国际专利，突破了国外的专利覆盖;在激光材料运用方面，突破了DVD用半导体激光器外延片、大功率半导体激光器、光通信用半导体激光器批量化生产的关键技术，并实现了规模化生产，在国内首次实现60英寸激光投影大屏幕显示的原理性演示装置，获得了色彩鲜艳、图像清晰的DVD动态图象。此外，完成激光打标机、激光切割机等应用方面的整机开发，为国内大功率全固态激光器的大规模应用奠定了良好的技术基础。
3. 在磁性材料基础研究与工程化技术开发方面，形成了国际先进的技术和明显的产业优势。
通过实施“新型稀土永磁材料钕铁氮产业化开发研究”等六个项目，对钕铁硼在基础研究和产业化关键技术研究方面给予支持，开发高性能的N50系列的产品，大大推动了我国的钕铁硼磁性材料的技术进步。此外，北京在国内率先完成了钕铁氮稀土磁性材料的开发，开发出具有自主产权的批量生产钕铁氮的新工艺，绕开了国外专利技术壁垒，取得了我国拥有完全拥有自主产权的技术成果，实现了新型稀土磁性材料研究方面的历史性突破。
三、我想介绍一下下阶段北京市电子信息材料领域科技工作的设想
“十五”以来，北京市科委通过积极努力，开展新材料领域取得的一些有目共睹的成绩，尤其是信息产业相关的材料领域成绩斐然，下一阶段将在市科技工作的整体思路指导下，认真贯彻“需求导向、主题引题、汇聚资源、领域支撑、示范带动”20字工作方针，深入落实“八大科技工作的主题计划”，围绕重点产业发展的需求和国家战略的需求，首都城市建设和城市管理的需求，通过实施一批技术攻关项目和营造良好的创新环境，集成和发挥科技优势，不断提升新材料领域自主创新的能力，使新材料技术更好地服务于首都经济和社会的发展，努力推动新材料领域转变为社会发展的竞争优势。
在电子信息材料领域，下一阶段科技工作的重心将集中在大力支持集成电路配套材料方面，配合国家集成电路重大专项的实施，充分发挥北京在以集成电路为主导的微电子领域的多方面的科技资源的优势，开展跨领域、多学科的产学研相结合的技术公关，通过大规模的关键材料的技术，积极推进北京电子信息材料领域的发展，有利支撑北京和国内信息产业的发展。
北京市科委将对大规模集成电路关键材料的开发，从以下四个具体方面来支撑首都电子信息材料领域的发展：一是先进半导体硅材料技术的研究，二是高端光刻胶产业化关键技术的研究，三先进互连材料的开发及产业化，四是先进封装用材料的开发和产业化。
（来源：chinaceca）