DRAM厂年休救「价」

DRAM厂年休救「价」

     DRAM价格明年第一季反弹有望。集邦科技（DRAMeXchange）昨（18）日表示，台湾部分DRAM 制造商近期考虑在明年农历年期间进行岁休，可望成为「变相减产」，减少产出幅度约在10%至25%，将有助明年第一季DRAM价格反弹。
    
     分析师普遍认为DRAM价格反转时机将在明年上半年浮现，三星电子公司负责投资人关系的执行副总朱尤提（Chu Woosik）说：「-DRAM价格应该会在（明年）上半年某个时间触底，下半年预期将急速回涨。」
    
     首尔Prudential投资证券公司分析师朴兴恩（音译）说：「现在是买三星股票的好时候，而且买点会一直持续到明年第一季开始。海力士半导体（Hynix）与尔必达都落后三星，但这两家的股价表现应会胜过资金紧俏的奇梦达（Qimonda）、美光与台湾厂商。」
    
     价格回稳有望，DRAM类股昨天股价表现亮丽，力晶（5346）率先冲上涨停，并以涨停价12.65元作收，上涨0.8元，扛起撑盘重任，并带动茂德（5387）、南科（2408）同步收红，成为市场人气最旺的族群。
    
     根据集邦科技报价，近期DRAM价格仍维持狭幅震荡走势，512MB DDRII有效测试颗粒（eTT）均价约在0.78美元附近。集邦认为，由于时序进入圣诞假期，欧美地区的需求暂时停歇，加上整体现货市场的库存水位仍偏高，而市场人士还是普遍看淡的情形下，短期现货市场价格仍有向下修正压力。
    
     合约市场方面，由于OEM厂商控制库存量，拉货意愿有限，估计12月下旬的合约价格仍有可能持续下探。但集邦认为，目前已有奇梦达宣布欧洲地区少量减产，将有助减少市场供给，而部分台湾DRAM厂商目前也开始考虑在明农历年期间实施岁修，也会减少市场供应量，将使价格走势有所支撑。