NAND Flash 价格再破底
近期油价高涨问题导致消费者紧缩荷包，成了NANDFlash市场需求不振最大杀手，NANDFlash价格罕见地一再破底，再度跌破前波低点，8Gb芯片低点来到2.35美元，跌破内存业者眼镜！上游内存厂近期虽欣喜DRAM价格开始稳定，但NANDFlash价格不断探底，亏损幅度扩大，让各业者相当头痛，而模块厂应对策略则是拉升DRAM模块比重，弥补NANDFlash跌价损失。
NANDFlash价格在4月初受惠海力士(Hynix)减产、供给面获控制，曾有一波反弹好光景，然随后反转向下，再度面临崩盘窘境，且这次8Gb芯片价直接跌破前波低点，16Gb芯片也很快将面临4美元保卫战，NANDFlash价格相当疲软。
内存业者表示，步入5月之后，全球NANDFlash产品市场买气，只能用一滩死水来形容，尤其近期油价持续攀高、通货膨胀问题，对全球各地消费者信心冲击相当大，除非是民生必需品，否则消费者采购态度都是能省就省，因此，对NANDFlash冲击严重，成为这波需求不振的杀手。
内存大厂认为，好不容易等到DRAM景气脱离谷底，从现在到第3季度价格可步入稳定期，然NANDFlash价格却一再破底，恐使得亏损幅度持续扩大；下游模块厂亦表示，原本是NANDFlash产品比DRAM模块赚钱，现在完全倒过来，近期策略就是拉升DRAM模块比重，以降低NANDFlash跌价效应影响。
内存业者指出，这一波NANDFlash价格崩盘，主要都是需求面太弱所致，加上固态硬盘(SSD)2008年恐怕是没有希望了，只能在低价计算机附近打转。
在供给端方面，目前各家NANDFlash大厂主流工艺在50纳米，三星电子(SamsungElectronics)42纳米、东芝(Toshiba)43纳米和海力士48纳米下半年虽会陆续看到，但初期在提升良率阶段，要等到新工艺步入量产期，还需要一段时间，现在当务之急是要挽救疲弱不堪的终端需求，NANDFlash市场才有一线希望。
NANDFlash价格在4月初受惠海力士(Hynix)减产、供给面获控制，曾有一波反弹好光景，然随后反转向下，再度面临崩盘窘境，且这次8Gb芯片价直接跌破前波低点，16Gb芯片也很快将面临4美元保卫战，NANDFlash价格相当疲软。
内存业者表示，步入5月之后，全球NANDFlash产品市场买气，只能用一滩死水来形容，尤其近期油价持续攀高、通货膨胀问题，对全球各地消费者信心冲击相当大，除非是民生必需品，否则消费者采购态度都是能省就省，因此，对NANDFlash冲击严重，成为这波需求不振的杀手。
内存大厂认为，好不容易等到DRAM景气脱离谷底，从现在到第3季度价格可步入稳定期，然NANDFlash价格却一再破底，恐使得亏损幅度持续扩大；下游模块厂亦表示，原本是NANDFlash产品比DRAM模块赚钱，现在完全倒过来，近期策略就是拉升DRAM模块比重，以降低NANDFlash跌价效应影响。
内存业者指出，这一波NANDFlash价格崩盘，主要都是需求面太弱所致，加上固态硬盘(SSD)2008年恐怕是没有希望了，只能在低价计算机附近打转。
在供给端方面，目前各家NANDFlash大厂主流工艺在50纳米，三星电子(SamsungElectronics)42纳米、东芝(Toshiba)43纳米和海力士48纳米下半年虽会陆续看到，但初期在提升良率阶段，要等到新工艺步入量产期，还需要一段时间，现在当务之急是要挽救疲弱不堪的终端需求，NANDFlash市场才有一线希望。
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