Hynix Q3获利衰退25% 预期Q4 DRAM和NAND需求强劲
全球第3大记忆体制造商南韩Hynix Semiconductor Inc.(000660-KR)周四公布2006年第3季财报，净利较去 年同期衰退 25%，低于分析师预估的平均值。但公司看 好第 4季DRAM和NAND等记忆体的需求。
Hynix第3季净利降至3838亿韩元 (4.023亿美元)， 低于分析师平均预估的4075亿韩元，去年同期因转投资 挹注，获利5115亿韩元。(1美元兑954韩元)
营收成长22%至1.824兆韩元，营业获利衰退 23%至 2918亿韩元，不如市场预期的4010亿。第 3季营业利益 率也降至 16%，低于第2季的20%和去年同期的 25%。
Hynix 表示，将投资7168亿韩元扩大记忆体生产线 ，看好未来DRAM市场的前景。
在产品价格方面，公司表示第 3季DRAM平均售价较 第 2季上涨9%，出货增加14%。NAND快闪记忆体(flash) 均价较第2季下跌24%，但出货则成长 46%。DRAM占整体 营收增至70%，第2季为67%。
展望年底前市况，Hynix看好第4季记忆体需求。公 司策略规划副总O.C. Kwon表示，第4季DRAM晶片价格预 期稳定，而需求持续强劲。
他指出，由于全球DRAM制造商在升级至更高阶制程 时遭遇一些生产题，因此供应成长有限。他认为NAND 将有旺季效应，但他也坦承第4季全球供给应会增加。
Hynix第3季净利降至3838亿韩元 (4.023亿美元)， 低于分析师平均预估的4075亿韩元，去年同期因转投资 挹注，获利5115亿韩元。(1美元兑954韩元)
营收成长22%至1.824兆韩元，营业获利衰退 23%至 2918亿韩元，不如市场预期的4010亿。第 3季营业利益 率也降至 16%，低于第2季的20%和去年同期的 25%。
Hynix 表示，将投资7168亿韩元扩大记忆体生产线 ，看好未来DRAM市场的前景。
在产品价格方面，公司表示第 3季DRAM平均售价较 第 2季上涨9%，出货增加14%。NAND快闪记忆体(flash) 均价较第2季下跌24%，但出货则成长 46%。DRAM占整体 营收增至70%，第2季为67%。
展望年底前市况，Hynix看好第4季记忆体需求。公 司策略规划副总O.C. Kwon表示，第4季DRAM晶片价格预 期稳定，而需求持续强劲。
他指出，由于全球DRAM制造商在升级至更高阶制程 时遭遇一些生产题，因此供应成长有限。他认为NAND 将有旺季效应，但他也坦承第4季全球供给应会增加。