DRAM、N flash两路追兵纷至 海力士倍受挑战

     面对DRAM和NFlash产业双双不景气，海力士(Hynix)蜡烛两头烧的压力，明显高过其它内存厂，继在DRAM产业的市占率被尔必达(Elpida)苦苦追赶，海力士在NFlash产业的市占率，也被原本落后的美光(Micron)逼近。2007年美光和海力士的市占率差距超过10个百分点，然2008年第2季度开始，已差距不到5个百分点，使得海力士在DRAM和NFlash市场上，同样都面临巨大挑战。
    
     内存厂2008年面对大环境严峻挑战，DRAM和NFlash产业都是供过于求，面临如此庞大的压力，唯有看谁的成本结构最具优势、工艺技术最先进，谁受的伤就会最轻，DRAM的技术都在拼50和60纳米工艺，而NFlash技术则在拼40和30纳米工艺，谁能最快转过去，且良率达到一定水平，成本结构就可以较对手低。
    
     内存业者分析，以8Gb的MLC芯片为例，目前单颗的合约价约在2美元左右，三星电子(SamsungElectronics)和东芝(Toshiba)由于分别成功转进51纳米和56纳米，以这样的成本结构来看，还勉强可赚钱，但海力士因为主流工艺还停在60纳米工艺，因此海力士在8Gb芯片上，都是赔钱在卖。
    
     根据iSuppli针对2008年第2季度全球NFlash厂的市占率统计，三星和东芝的市占率分别为42.3%和27.5%，皆蝉联一哥和二哥宝座，2者合计市占率达逼近70%，仍是占有多数的NFlash市场主导权。
    
     值得注意的是，海力士不只在全球DRAM市占率上，二哥的地位面临尔必达的步步逼近，在NFlash市场上，海力士也面临美光的挑战，根据iSuppli统计，双方2008年第2季度市占率差距不到5个百分点，然回顾2007年市占率，海力士和美光的市占率分别为17%和6%，双方的差距达10个百分点以上。
    
     内存业者分析，除了美光与英特尔合资的IMFlash扩产相当积极外，海力士在不堪NFlash持续亏损下，4月也宣布减产，忍痛自行止血，加上海力士48纳米工艺量产的时间点一再递延，成本结构不如竞争对手，也使得海力士的NFlash市占率备受挑战。
    
     内存业者分析，在DRAM和NFlash亏损是蜡烛两头烧的情况下，海力士一定要做出抉择，由于DRAM才是海力士真正的本业，且海力士在DRAM市场上，才真正具有呼风唤雨的能力，不像NFlash市场几乎被三星和东芝寡占，因此海力士下半年的策略，明显的以DRAM为主。
    
     iSuppli则预估，2008年NFlash的营收增长率从原本预估的9%，下修至趋近于0的水平，主要是经济大环境不明朗、各厂库存水位过高、消费者的购买力道削弱等，整个NFlash市场的压力相当大，虽然大家都期待固态硬盘(SSD)可以帮助NFlash产业，但短期内的帮助应该不大。