世界电子元件发展预测
2010年世界电子信息制造业市场将达19055亿美元。其中电子元件市场将达2800亿美元，占14.7%。另据报道，全球片式元器件产量将从2005年15000亿只，增至2010年25000亿只，年均增长13%。在全球化的浪潮中，企业兼并重组，产业梯次转移，特别是世界电子元件产业规模不断扩大，生产集中度不断提高，新材料、新工艺、新设备的大量涌现，电子元件的技术又有了新的进展，主要表现在：
1.片式化、小型化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一。世界各国包括亚太地区、印度等发展中国家和地区，各类电子元件均已有相应的片式化产品。其中，片式电容、片式电阻、片式电感三大无源元件约占全球片式元件总产量的85%-90%。电子元件片式化的同时，小型化也在迅速发展。不仅传统元件在迅速小型化，片式元件也在迅速小型化。以MLCC为例，1980年主流产品为3216(32×1.6×12mm)，2002年为1005（1.0×0.5×0.5mm），2005年0603（0.6×0.3×0.3mm）已成为主流产品型式，产品的体积已经缩小到1980年时的1%。
2.电子元件复合化和集成化的步伐加快。其中片式电阻网络技术早已成熟，1005型3连的片式电阻网络应用急速增长。片式MLCC网络1608型4连、1005型2连产品已批量生产。由于LTCC工艺技术的迅猛发展，片式集成无源元件（IPD）已在手机、局域网、蓝牙等领域获得应用，在2006年，已有15%手机中的无源元件被IPD取代。今后IPD在各类整机中的应用比例将迅速增加。
3.高性能化、高频化电子设备要求电子元件的使用频段向更高的方向发展。电容器主要是降低ESR（等效串联电阻）和ESL（等效串联电感），如3212型三端电容器（2200pf）要达到ESL=0.03nH，ESR=32mΩ，分别是常规产品的1/12和1/8。片式电感器的使用频率已达到12GHz。射频同轴连接器的工作频率已达110GHz。A1电解电容器高压大容量已达630WV，甚至700WV。高性能高精度、高稳定（TCR≤10ppm/℃），薄膜电阻及其网络（片式化）在我国尚属空白，高性能整机需求迫切。
1.片式化、小型化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一。世界各国包括亚太地区、印度等发展中国家和地区，各类电子元件均已有相应的片式化产品。其中，片式电容、片式电阻、片式电感三大无源元件约占全球片式元件总产量的85%-90%。电子元件片式化的同时，小型化也在迅速发展。不仅传统元件在迅速小型化，片式元件也在迅速小型化。以MLCC为例，1980年主流产品为3216(32×1.6×12mm)，2002年为1005（1.0×0.5×0.5mm），2005年0603（0.6×0.3×0.3mm）已成为主流产品型式，产品的体积已经缩小到1980年时的1%。
2.电子元件复合化和集成化的步伐加快。其中片式电阻网络技术早已成熟，1005型3连的片式电阻网络应用急速增长。片式MLCC网络1608型4连、1005型2连产品已批量生产。由于LTCC工艺技术的迅猛发展，片式集成无源元件（IPD）已在手机、局域网、蓝牙等领域获得应用，在2006年，已有15%手机中的无源元件被IPD取代。今后IPD在各类整机中的应用比例将迅速增加。
3.高性能化、高频化电子设备要求电子元件的使用频段向更高的方向发展。电容器主要是降低ESR（等效串联电阻）和ESL（等效串联电感），如3212型三端电容器（2200pf）要达到ESL=0.03nH，ESR=32mΩ，分别是常规产品的1/12和1/8。片式电感器的使用频率已达到12GHz。射频同轴连接器的工作频率已达110GHz。A1电解电容器高压大容量已达630WV，甚至700WV。高性能高精度、高稳定（TCR≤10ppm/℃），薄膜电阻及其网络（片式化）在我国尚属空白，高性能整机需求迫切。