PNP晶体管

     PNP晶体管是另一种类型晶体管.它的结构如图1所示
    
    
     它的工作原理和NPN晶体管相似,只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子.PNP晶体管的发射结要正偏,基取的电压要比发射区的电压要高,而集电极要是多数载流子空穴通过,集电区的电压要比基区的要低.这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反.下图为PNP晶体管的外形图。
    
    
    
     关于PNP晶体管的工作原理,请参阅NPN晶体管。
    
     在双极模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入PNP结构的晶体管。如横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 NPN管同时进行，不需附加工序。在横向PNP管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向 PNP管。纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。