记忆体厂度寒冬 大举启动合纵连横

记忆体厂度寒冬 大举启动合纵连横

     海力士(Hynix)和Numonyx在6日宣布共同开发NAND Flash晶片，从近1年来包括尔必达(Elpida)、海力士、Numonyx等大厂纷展开策略联盟合作，记忆体产业合纵连横频繁，不论是DRAM、NAND Flash或NOR Flash产品，除三星电子(Samsung Electronics)实力坚强、独自作战，绝大多数记忆体厂商未来在技术和应用领域上，都已无法靠一己之力生存，显见记忆体厂间的合纵连横，将是未来产业重要趋势。
    
     海力士2008年来策略大转变，不断以策略联盟方式布局记忆体领域，在DRAM市场中，不但扩大与茂德合作关係，由代工伙伴转变成入股茂德，2009年更将进入董事会；在NAND Flash市场，海力士投资控制晶片设计公司群联，并宣布与Numonyx合作开发NAND Flash晶片。
    
     事实上，受到DRAM和NAND Flash供过于求严重，以及景气持续不明确影响，海力士2008年第2季交出连续3季亏损成绩单，单季再度亏损6.98亿美元，DRAM产品持续亏损，NAND Flash製程进度也一再落后，使得海力士营运一再拉警报。
    
     同样情况也发生在Numonyx身上，原本是从英特尔(Intel)与意法半导体(STMicroelectronics)分割出来的NOR Flash部门，同样面临NOR Flash市场饼作不大，应用容量无法扩增等问题，因此，遂将部分重心放在NAND Flash产品，与海力士共同开发NAND Flash晶片。
    
     另外，Numonyx也找上日系记忆体大厂尔必达代工NOR Flash产品，尔必达将以日本广岛12吋晶圆厂代工NOR Flash产品，积极加强策略联盟布局；同样地，尔必达在全球DRAM市场，除与力晶合作外，也与奇梦达合作开发新技术，积极加强合纵连横的布局范围。
    
     整体看来，全球记忆体产业中，不论是DRAM、NAND Flash或NOR Flash产品，都已很难靠单一产品生存，因此，各家业者都加强彼此间合作，扩大应用产品领域和未来技术深度，才能在下一个景气起飞前，做好新的布局蓝图。