DRAM NAND价格续探底
集邦科技（DRAMeXchange）8日公布12月上旬DRAM与NAND Flash合约价，都重挫超过一成，双双下探历史新低。其中1Gb DDRII DRAM均价失守1美元大关；32Gb MLC NAND Flash跌幅更达两成以上。集邦预期买气不佳，12月下旬两大内存报价不排除继续下探。
法人认为，DRAM与NAND Flash合约价联袂重挫，透露市况仍未走出谷底，价格仍未止跌，力晶、南科等上游芯片厂，以及创见、威刚等下游模块厂，营运压力仍大。
根据集邦报价，12月上旬512Mb与1Gb DDRII同步走跌，跌幅分别为11.32%及13.83%，均价各为0.44美元及0.94美元，同写历史新低。下游内存模块报价同步下滑，1GB及2GB DRAM模块跌幅约9.52%至11.11%，均价各为8.5美元及18美元。
集邦表示，因DRAM厂目前背负着十分沉重的库存压力，且明年第一季进入传统淡季，预期12月下旬DRAM报价可能继续下探。
南科也坦承目前DRAM市场销售确实不甚理想，包括感恩节与圣诞节传统旺季效应，今年都宣告落空，但目前DRAM价格已处于「非常不合理」的价位。
法人认为，DRAM与NAND Flash合约价联袂重挫，透露市况仍未走出谷底，价格仍未止跌，力晶、南科等上游芯片厂，以及创见、威刚等下游模块厂，营运压力仍大。
根据集邦报价，12月上旬512Mb与1Gb DDRII同步走跌，跌幅分别为11.32%及13.83%，均价各为0.44美元及0.94美元，同写历史新低。下游内存模块报价同步下滑，1GB及2GB DRAM模块跌幅约9.52%至11.11%，均价各为8.5美元及18美元。
集邦表示，因DRAM厂目前背负着十分沉重的库存压力，且明年第一季进入传统淡季，预期12月下旬DRAM报价可能继续下探。
南科也坦承目前DRAM市场销售确实不甚理想，包括感恩节与圣诞节传统旺季效应，今年都宣告落空，但目前DRAM价格已处于「非常不合理」的价位。