Nand Flash续涨 模块厂有喜
受惠近日现货价格连番上涨，集邦科技12月下旬NAND Flash现货报价向上调升；主流颗粒MLC 16Gb合约涨价幅逾15％，均价1.92美元，其它包括MLC 8Gb及SLC 16Gb和8Gb也均呈现攀扬态势。Nand Flash相关受惠厂商创见（2451）以及劲永（6145），昨（24）日股价力守平盘之上。
集邦科技表示，虽然目前业者普遍对明年电子产品的需求仍倾向保守，但主流NAND Flash产品价格自去年第三季以来累计跌幅已接近90％，预期近期NAND Flash供货商减产动作，将有助于NAND Flash价格的止跌回稳。
12月上旬NAND Flash合约价格受制淡季效应与年底降库存因素的干扰，NAND Flash主流颗粒MLC 16Gb合约价下跌约10％。不过，东芝宣布减产30％，加上部分上游厂商控货不愿再于价格低档时出货，烘托近一周主流颗粒Nand Flash 16Mb MLC涨幅约达30％，小型记忆卡Micro SD也趁势大涨，进而带动12月下旬合约报价向上回升。
集邦认为，NAND FLASH经历多年的3位数年成长率后，明年将会出现2位数年成长率，主因在于欧美金融风暴演变为全球金融风暴，对消费者信心、支出金额造成明显冲击，连带影响明年消费性电子产品需求；推估明年NAND FLASH整体市场的位出货量，约从今年的125％趋缓为93％。
分析师指出，NAND FLASH产业在经过今年一整年供需失衡，获利锐减的情形后，陆续有整合的声音传出，除了产业整合可望恢复产业秩序外，技术门坎也可望在成本端将竞争对手自然淘汰；当报价下滑到价差与硬盘相去不远时，SSD的应用，预计将会大幅成长。
下半年起，各NAND FLASH大厂纷纷进入40奈米制程，如Hynix由57nm切入48nm、Toshiba由56nm切入43nm、Samsung由51nm切入40nm，40nm的制程成本预计下滑约40％ ; INTEL及Micron更直接切入34nm，预计成本可节省50％至60％。
集邦科技表示，虽然目前业者普遍对明年电子产品的需求仍倾向保守，但主流NAND Flash产品价格自去年第三季以来累计跌幅已接近90％，预期近期NAND Flash供货商减产动作，将有助于NAND Flash价格的止跌回稳。
12月上旬NAND Flash合约价格受制淡季效应与年底降库存因素的干扰，NAND Flash主流颗粒MLC 16Gb合约价下跌约10％。不过，东芝宣布减产30％，加上部分上游厂商控货不愿再于价格低档时出货，烘托近一周主流颗粒Nand Flash 16Mb MLC涨幅约达30％，小型记忆卡Micro SD也趁势大涨，进而带动12月下旬合约报价向上回升。
集邦认为，NAND FLASH经历多年的3位数年成长率后，明年将会出现2位数年成长率，主因在于欧美金融风暴演变为全球金融风暴，对消费者信心、支出金额造成明显冲击，连带影响明年消费性电子产品需求；推估明年NAND FLASH整体市场的位出货量，约从今年的125％趋缓为93％。
分析师指出，NAND FLASH产业在经过今年一整年供需失衡，获利锐减的情形后，陆续有整合的声音传出，除了产业整合可望恢复产业秩序外，技术门坎也可望在成本端将竞争对手自然淘汰；当报价下滑到价差与硬盘相去不远时，SSD的应用，预计将会大幅成长。
下半年起，各NAND FLASH大厂纷纷进入40奈米制程，如Hynix由57nm切入48nm、Toshiba由56nm切入43nm、Samsung由51nm切入40nm，40nm的制程成本预计下滑约40％ ; INTEL及Micron更直接切入34nm，预计成本可节省50％至60％。