SRAM

SRAM

    静态随机存取存储器SRAM。
    
    SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 C ache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
    
    SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,异步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM, 流水式突发SRAM)，还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
    
    基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分:存储单元阵列(core cells array)，行/列地址译码器(decode)，灵敏放大器(Sense Amplifier)，控制电路(control circuit)，缓冲/驱动电路(FFIO)。 SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不象DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大.