DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格下跌逾10%

DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格下跌逾10%

     DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后，经过短暂的持平走势，上周（02/24-03/02）颗粒价格再次呈现下滑的走势，DDR21GbeTT从0.95美元下跌至0.85美元，跌幅逾10%左右，价格亦跌破至二月中旬低点0.86美元，而原厂颗粒方面，价格就不若DDR21GbeTT有着较大幅度的波动，上周DDR2667Mhz1Gb颗粒价格从0.89美元下滑至0.83美元，跌幅约在7%。从市场面来观察，由于现货市场中的eTT颗粒多由台系DRAM厂所主导，加上近期台湾DRAM产业合并与退出新闻不断，现货DDR2eTT颗粒价格也呈现着诡谲的变化，随着本周台湾政府将会正式宣布台湾DRAM产业合并的大方向，将有助于DRAM颗粒价格回归基本面。
    
    　　5Xnm制程转进，全球DRAM厂最艰困的一役
    
    　　随着DRAM产业面临了长达二年的不景气，加上去年下半年金融风暴席卷全球与需求急冻之下，去年第四季DRAM颗粒价格下跌逾54%，DRAM厂本身亦面临到极大的现金流出压力下，以往DRAM厂一但新技术开发成熟即导入量产的情况已不复见，已开始思索全球DRAM市场的供需水位与自身的资本支出，纵使新技术随时可以导入量产也会去考虑设备的投资费用与后续的摊提状况。
    
    

    
    
     5Xnm制程的开发就是全球DRAM厂步入理性投资的开始，根据各家拥有技术的DRAM母厂的进程规划（Roadmap）来分析，关于50nm导入量产的时间皆有往后延迟的趋势，时间上有延后一季至二既不等，但从侧面去了解，5Xnm制程的开发进度各家皆有不错的表现，与6Xnm制程相比，DDR2与DDR31Gb的颗粒产出皆有40%甚至于50%的成长，颗粒成本上亦可下降20-30%（含封装测试费用）。但在设备投资上却比以往进入70nm或是60nm制程必须付出更高费用，这也是各家将50nm制程延后的主要原因，由于50nm制程需要投资浸润式设备（Immersion），在于50nm制程的线径比60nm制程更小，以往黄光区的设备已无法因应50nm制程所需，但浸润式设备动辄十几二十亿元台币的售价，以目前每月100K的12寸DRAM厂来看，就需要5-7台浸润式设备不等的投资，这对目前手上现金吃紧的DRAM厂来说绝对是一笔不小的负担，如何应用现有设备微缩目前的颗粒尺寸及适量的投资50nm制程设备，绝不盲进全数转换，都是考验着DRAM厂未来生存与否的智慧。