NAND合约价上看3.5美元
日、韩NAND Flash大厂减产效益持续显现，激励3月中下旬NAND Flash 16GB MLC现货市场价格持续走扬，业界预期，现货价上涨效应，本期合约价可望调至3.5美元以上，重回厂商成本之上。
DRAM、Flash大厂自去年底相继采取减产措施，本季市场供需求逐渐恢复平衡，在晶圆厂仍未增加产出计划下，市场预期，第二季内存恐爆缺货潮，这股效可能由DRAM、延伸至Flash。
威刚（3260）、创见（2451）、群联（8299）、至上（8112）、友尚（2403）、劲永（6145）等模块、通路业者，在DRAM、Flash价格持续看俏，存货回冲利益可观，预计可反映在第一、二季财报。
集邦科技昨（31）日表示，今年供货商目标是改善获利，在3月的季底调降库存效应后，供货商仍希望以节制产出方式，使价格上涨到晶粒的成本以上。
集邦指出，上半年主流规格16Gb MLC主力制程是处于50奈米及40奈米交替期，供货商希望未来合约价能逐渐调涨到3.5美元以上，以减少亏损，预期供货商第二季产品策略调整及较佳的现货市场气氛，16Gb MLC价格短期可望坚挺走扬。
业界指出，大厂逐渐淘汰部分8吋NAND Flash产能，50奈米16Gb MLC的供应量在现货市场减少，有效支撑价格。
业界说，供货商在第二季计划增加供货高容量颗粒给系统厂客户，以配合第三季NAND Flash终端应用产品需求，对记忆卡及UFD客户的供货比重稍减，预料将有助支撑中低容量的颗粒价格。
集邦科技表示，NAND Flash制造成本攀升，下游厂商将渐进调涨终端产品售价，以反应平均原料库存成本。去年12月时NAND Flash超跌，且记忆卡并非高价产品，记忆卡价格将随NAND Flash价格同步上涨，惟目前整体市场需求面持平，下游客户会希望供货商缓步调涨价格，降低因平均单一产品容量升级速度放缓的负面因素，创造上下游双赢。
DRAM、Flash大厂自去年底相继采取减产措施，本季市场供需求逐渐恢复平衡，在晶圆厂仍未增加产出计划下，市场预期，第二季内存恐爆缺货潮，这股效可能由DRAM、延伸至Flash。
威刚（3260）、创见（2451）、群联（8299）、至上（8112）、友尚（2403）、劲永（6145）等模块、通路业者，在DRAM、Flash价格持续看俏，存货回冲利益可观，预计可反映在第一、二季财报。
集邦科技昨（31）日表示，今年供货商目标是改善获利，在3月的季底调降库存效应后，供货商仍希望以节制产出方式，使价格上涨到晶粒的成本以上。
集邦指出，上半年主流规格16Gb MLC主力制程是处于50奈米及40奈米交替期，供货商希望未来合约价能逐渐调涨到3.5美元以上，以减少亏损，预期供货商第二季产品策略调整及较佳的现货市场气氛，16Gb MLC价格短期可望坚挺走扬。
业界指出，大厂逐渐淘汰部分8吋NAND Flash产能，50奈米16Gb MLC的供应量在现货市场减少，有效支撑价格。
业界说，供货商在第二季计划增加供货高容量颗粒给系统厂客户，以配合第三季NAND Flash终端应用产品需求，对记忆卡及UFD客户的供货比重稍减，预料将有助支撑中低容量的颗粒价格。
集邦科技表示，NAND Flash制造成本攀升，下游厂商将渐进调涨终端产品售价，以反应平均原料库存成本。去年12月时NAND Flash超跌，且记忆卡并非高价产品，记忆卡价格将随NAND Flash价格同步上涨，惟目前整体市场需求面持平，下游客户会希望供货商缓步调涨价格，降低因平均单一产品容量升级速度放缓的负面因素，创造上下游双赢。