东芝推32纳米闪存7月量产

     据国外媒体报道，东芝日前展示了基于32纳米制造工艺的单芯片32Gb NAND Flash闪存芯片。首批32Gb芯片将主要被应用于记忆卡和USB存储设备，未来会扩展到嵌入式产品领域。
    
    　　随着越来越多的移动设备在声音和影像方面的逐步数字化，高容量、更小巧的内存产品在市场上的需求也越来越强劲。
    
    　　新的芯片产品将在东芝位于日本三重县四日市的工厂内制造。东芝公司将比原计划提前2个月，从2009年7月起，大批量生产32Gb NAND Flash闪存芯片。16Gb产品则会从2009财年第三季度(2009年10月到12月)开始出货。