特瑞仕推出用于GPS的1.6GHz LNA（低噪声放大器）
特瑞仕半导体在业内率先开发了采用CMOS工艺，用于GPS的1.6GHz LNA（低噪声放大器）。
目前大部分LNA产品皆是采用GaAs、SiGe工艺，但是，近年来随着无线电仪器需求量的增加，LNA的制造工艺也从以往的技术，向拥有充足生产能力的CMOS工艺发展。相应于此市场趋势，特瑞仕及时迅速地实现了采用CMOS工艺，用于GPS的LNA的批量生产。
XC2404A816UR-G是采用CMOS工艺实现了频率为1.6GHz、低电压驱动（1.14V～1.26V，固定偏置时）、低消耗电流（12.0mW，固定偏置时）、低NF（0.94dB、TYP.）的LNA系列产品。此外，增加1只电阻即可进行自给偏置、对应1.8V、2.85V的电源电压。输入输出均能以少量的外置零部件实现50Ω的匹配。
XC2404A816UR-G采用了USP-8A01（1.5mm x 1.5mm x h0.6mm）小型封装，可缩小组装面积。特瑞仕还计划今后将CMOS工艺扩大利用于GPS市场以外的新产品系列。
【XC2404A816UR-G 的特长】
· 采用低消耗功率的CMOS工艺。
· 26.5dB的高增益实现了NF=0.94dB的低噪声指数。
· 可对应1.2V, 1.8V, 2.85V, 3.0V各种工作电压。
目前大部分LNA产品皆是采用GaAs、SiGe工艺，但是，近年来随着无线电仪器需求量的增加，LNA的制造工艺也从以往的技术，向拥有充足生产能力的CMOS工艺发展。相应于此市场趋势，特瑞仕及时迅速地实现了采用CMOS工艺，用于GPS的LNA的批量生产。
XC2404A816UR-G是采用CMOS工艺实现了频率为1.6GHz、低电压驱动（1.14V～1.26V，固定偏置时）、低消耗电流（12.0mW，固定偏置时）、低NF（0.94dB、TYP.）的LNA系列产品。此外，增加1只电阻即可进行自给偏置、对应1.8V、2.85V的电源电压。输入输出均能以少量的外置零部件实现50Ω的匹配。
XC2404A816UR-G采用了USP-8A01（1.5mm x 1.5mm x h0.6mm）小型封装，可缩小组装面积。特瑞仕还计划今后将CMOS工艺扩大利用于GPS市场以外的新产品系列。
【XC2404A816UR-G 的特长】
· 采用低消耗功率的CMOS工艺。
· 26.5dB的高增益实现了NF=0.94dB的低噪声指数。
· 可对应1.2V, 1.8V, 2.85V, 3.0V各种工作电压。