安森美半导体推出新的高密度沟槽MOSFET

    2009年10月28日，全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。

    新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)及负载点(POL)应用中的同步直流-直流(DC-DC)转换器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封装方案，以及新的μ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封装方案，就其封装尺寸而言，提供业界领先的低导通阻抗。

    安森美半导体功率MOSFET产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：“计算机和游戏机领域的电源管理设计工程师能够利用安森美半导体最新的30 V沟槽MOSFET方案提升总能效。我们利用电源管理及封装技术专长，为我们的客户提供多种方案，以应对提升能效及节省空间等设计挑战。”

    安森美半导体的新MOSFET采用先进的封装系列，具有优化的低门电荷及低导通阻抗，提升开关性能及系统总能效。所有器件均为无铅、无卤素器件，且符合RoHS指令。

器件及封装

    NTD49x系列32至79安培(A)器件包括NTD4904N、NTD4905N、NTD4906N、NTD4909N、NTD4910N及NTD4913N。这些器件采用6.7 mm x 10.4 mm DPAK封装，每10,000片批量的预算单价为0.28至0.50美元。

    NTMFS49x系列35至166 A器件包括NTMFS4935N、NTMFS4936N、NTMFS4937N、NTMFS4939N、NTMFS4941N、NTMFS4943N及NTMFS4945N。 NTMFS4933N将于2010年初之前推出。这些器件采用5 mm x 6 mm SO8FL封装，每10,000片批量的预算单价为0.26至0.50美元。

    NTTFS49x系列34至79 A器件包括NTTFS4932N、NTTFS4937N、NTTFS4939N、NTTFS4941N、NTTFS4943N及NTTFS4945N。这些器件采用3.3 mm x 3.3 mm μ8FL封装，每10,000片批量的预算单价为0.30至0.60美元。

    NTMS49x系列12.5至17 A器件包括NTMS4920N、NTMS4935N、NTMS4937N及NTMS4939N。这些器件采用5 mm x 6 mm SOIC-8封装，每10,000片批量的预算单价为0.30至0.80美元。