2009年10月28日，SRAM行业的领先者赛普拉斯半导体公司日前推出了业界首款单片具有144-Mbit密度的SRAM，该产品成为其65纳米SRAM产品系列中的最新成员。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存储器采用65纳米工艺技术，由台湾联华电子（UMC）的芯片工厂代工生产。该产品拥有市场上最快的时钟，速率可达550MHz，在36-bit I/O宽度的QDRII+器件中，整体数据率达到80 Gbps，并且其功耗只有采用90纳米工艺的SRAM器件的一半。这些产品是诸如互联网核心与边缘路由器、固定及模块化的以太网交换机、3G基站和安全路由器等网络应用的理想产品，还可以改善医学成像和军事信号处理系统的性能。这些器件与90纳米SRAM管脚兼容，从而允许网络客户在保持板卡布局不变的同时改进性能，并且将表和包缓冲器的容量扩充一倍。
与90纳米SRAM相比，赛普拉斯的65纳米QDR 和 DDR SRAM的待机和动态耗电量降低了50%，从而顺应当前的“绿色”网络架构应用趋势。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片上终止器（ODT），从而省去了外部的中止器电阻，可以改善信号完整度并节省系统成本和板卡空间。65纳米器件采用一个锁相环（PLL）而非延迟锁定环（DLL），从而使数据有效窗口拓宽了35%，进而简化了板级时序收敛并增强了与第三方处理器的兼容性。
赛普拉斯同步和时序产品事业部副总裁Dave Kranzler说：“作为全球SRAM的领导者，目前我们提供种类最齐全的产品。这一业界最快最大的产品的推出更加巩固了我们的领先地位，进一步证明了我们对SRAM市场的承诺。”
CY7C16xxKV18 65-nm QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+ SRAM目前正在出样，预计2010年第一季度投产。每个器件均可有基于I/O宽度（x18 或 x36）、突发长度(B4 或 B2)以及延迟时间(1.5, 2.0 或 2.5)的多种配置。65纳米144-Mbit SRAM采用工业标准的165FBGA封装，与现有的90纳米QDR和DDR器件管脚兼容，因而能很方便地替换。
