宏力半导体推出45V LDMOS电源管理制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，日前发布了基于其稳定的0.18微米逻辑平台的先进45V LDMOS电源管理制程。
与传统线宽相比，0.18微米逻辑平台使得更高集成度的数字电路成为可能，从而可以适用于SoC和智能电源。宏力半导体成熟的0.18微米逻辑制程配备了具有高精准模型的完整设计工具包，极大地缩短了产品的设计周期，加速客户产品的投产。此外，该0.18微米逻辑制程还分别提供了通用逻辑和低功耗逻辑平台供客户选择。
通过优化器件的布局、注入和热处理过程等特定步骤减小了Rdson (导通电阻)，45V NMOS 和 PMOS的导通电阻分别约为70 mΩ/mm2 和 160 mΩ/mm2。导通电阻的减小可以使电源芯片功率驱动部分的面积缩减10～40%，客户因此可以为电源管理应用提供更加有效的解决方案。
除此以外，模块化制程也更加灵活。1.8V的器件可以易于添加或者移除，可适用于客户的特殊要求。除了标准的5V器件外，根据客户的特定设计，3.3V也可以用来备选。其他诸如MiM，HR和Bipolar等器件也可供客户选择。
销售市场及服务资深副总裁卫彼得博士说：“宏力半导体最新发布的45V LDMOS是一个高性能的制程，可以为客户提供一个低成本的解决方案，缩短产品上市时间。这个技术平台针对目前快速发展的电源管理芯片市场，适用于尖端的LED驱动、马达控制和电池管理。宏力半导体在汽车电子芯片领域已经积累了多年的生产经验，我们相信这个先进的新制程也能够满足汽车电子严苛的要求。”