三星:半导体厂房跳电损失估计不到90亿韩圆
来源:慧聪电子网 作者:—— 时间:2010-03-30 07:00
三星电子(SamsungElectronics)表示,截至台北时间25日下午3时为止,南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示,目前尚未找出跳电的原因。MeritzSecurities分析师LeeSun-tae指出,三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大,主因多数面临冲击者为非内存生产线。
YonhapNews于南韩时间24日下午7时48分报导,三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电,其K2、K5厂区在当地时间下午2时30分左右断电,并在3时35分、5时38分恢复电力。三星表示,上述厂房的核心生产运作并未中断,主因厂房设有不断电系统(UPS)。此外,该公司正在调查断电原因以及对生产的损害程度。
受到三星电子半导体厂房跳电的影响,DRAM、NAND型闪存现货报价走势强劲。根据集邦科技(DRAMeXchange)报价,截至台北时间25日下午6时为止,DDR31Gb128Mx81333MHz劲扬2.46%,报3.08美元;NAND64Gb8Gx8MLC涨1.12%,报15.26美元。
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