下世代内存大战起 国际大厂攻势凌厉　

    宣布将相变化内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片问世后，恒忆(Numonyx)也宣布推出针对PC、消费性电子和通讯市场使用的相变化内存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量达128Mb，随着国际大厂接连发动攻势，让原本冷门的相变化内存市场一夕之间热了起来！

    全球相变化内存分为3大阵营，包括恒忆／英特尔(Intel)、三星、旺宏／IBM，三星日前推出主攻智能型手机MCP应用的PRAM，以及恒忆的PCM产品等，虽然PRAM、PCM等产品的名称相异，但属于相变化内存技术。

    相较于三星宣布相变化内存新产品在初期要瞄准手机MCP市场，恒忆则是成立全新的品牌Omneo，特别为需要量身订做的客户来服务，应用范围不局限于手机，包含有线及无线通信、消费电子产品、PC和嵌入式应用产品等。

    恒忆不但看好相变化内存是1988年闪存问世以来，下一代接棒的新内存明日之星，也认为这次推出的新PCM产品可较现有的闪存写入速度快300倍，并可同时支持序列式闪存(SerialNORFlash)和并列式闪存(Pa!rallelNORFlash)界面。

    恒忆的第1款PCM产品是在2008年12月推出，支持10万次的耐写次数，这次推出的第2款新产品是采用90奈米制程生产，容量可达128Mb，耐写次数更提高到100万次，目前恒忆的Omneo品牌产品已大量供货。

    恒忆副总裁暨嵌入式业务部总经理GlenHawk则表示，目前设计工程师必须使用不同类型的内存以进行编码储存、执行以及数据储存应用，新PCM产品可让设计过程更简单化。

    相变化内存是现在各种下世代内存中，最被看好的一种，同时也因英特尔、三星等大厂力推，2010年开始逐渐导入终端应用，此款内存的材料是锗硒锑GST，兼具DRAM和NANDFlash内存的优缺点，虽然2010年开始用于终端市场，但稳定=仍需进一步观察。

    此外，美光(Micron)正式完成与恒忆的购并程序后，也顺势加入下世代内存技术大战，在美光获得相变化内存技术后，可增加美光在消费性电子、手机等应用上内存的研发实力。