DRAM挺过7月 有望旺到后年

动态随机存取内存（DRAM）价格年初以来维持强势，但封测厂强调，7月若尔必达新增产能是否可以去化是重要观察期，一旦能顺利消化，DRAM产业荣景将能持续到明、后年。

今年全球DRAM产能扩充不及，可是需求面，却因个人计算机、消费性、信息产品及智能型手机高度成长，让DRAM价格急速攀升，各家DRAM模块厂缴出不错的获利表现，连DRAM厂也摆脱过去巨额亏损的命运，甚至转亏为盈。

不过，受第二季电子厂拉货速度减缓影响，DRAM价格4月底显疲态；根据集邦科技的报价，近期DDR3 1Gb eTT（有效测试颗粒）均价已跌破3美元关卡，跌至2.87美元，和3月底的3.04美元高点相比，跌幅约5.59%。

尽管如此，DRAM厂瑞晶、南科（2408）、华亚科（2474）和DRAM模块厂威刚（3260）、创见（2451）仍看好DRAM后市，并认为第二季将淡季不淡。

内存封测厂测合科技总经理徐英琳表示，目前DRAM市况，因在智能型手机及个人计算机等应用的市场高度成长，带动DRAM需求强劲，市场确实普遍仍处缺货状态。

不过，他认为，7月包括瑞晶、力晶（5346）及茂德（5387）等尔必达（Elpida）阵营的新增产能是否顺利去化，将牵动DRAM价格走势，是重要的观察指标。

他说，尔必达阵营制程技术推进至63奈米，7月产出将大量增加，加上美光阵营的南科、华亚科也导入50奈米，下半年产量大增，届时市场能否有效消化这些新增产能，是一观察重点。

徐英琳说，若尔必达阵营7月新增产能无法获得消化，DRAM价格届时恐会面临回档压力；若产能得以顺利去化，预料DRAM产品价格应可稳定到明、后年。不过，他个人认为，DRAM价格大幅回文件的可能性不高，推估DDR3 1Gb可维持在2.5美元以上的价格水平。