成本更低廉 可取代NAND闪存技术问世
5月25日 Unity半导体公司不断致力于新内存技术的开发，不久前该公司宣布成功开发一种可取代NAND Flash的新内存技术，相信不久以后，NAND Flash为存储卡和固态硬盘唯一解决方案的局面将出现大幅改变。
Unity的目标是挑战业界最小的芯片尺寸和最低的成本，该公司透过多层储存阵列结构，和一种名为CMOx的新型关键技术来实现这项目标。CMOx主要是在伴有离子运动的半导体制程中，加入一种导电性金属氧化物新材料。
该公司所拥有的新一代NVM技术CMOx，采用CMOx技术的内存产品能拥有高性价比，这使得Unity有能力直取闪存的替代市场大位。目前CMOx主要针对新兴市场应用，如固态硬盘、移动上网装置和智能型手机等。根据市调机构预测，到了2012年，这些应用市场将有90％以上产品采用嵌入式闪存。
CMOx是新一代NVM技术，它采用Unity的专利技术，能在特定的金属氧化物组合中发生转换效应。Unity在CMOx中使用的转换概念不同于传统的闪存技术。CMOx技术的储存效应来自于离子载流子的运动，由于不需要储存单元电晶体，CMOx可用于产生被动式交叉点多层储存阵列。其他的储存技术，如相变化内存（PCM）和磁性随机存取内存（MRAM）等，每个储存单元都需要一个电晶体，因此不符合交叉点多层芯片结构的要求。
除了技术创新，Unity的其他技术优势，还包括可将前段（FEOL）的CMOS芯片制程与后段（BEOL）的内存层制程分离。CMOS芯片不需要新的制程技术，可在CMOS逻辑产线进行生产，以现有的产能，只需拥有90nm的CMOS后段制程即可。根据市场研究机构的预测，Unity乐观预估，到了2010年，该公司的内存市场规模将达到150亿美元左右，2013年则将超过250亿美元。