美光科技推出新型2Gb 50纳米DDR2内存

来源:电子工程专辑 作者:—— 时间:2010-08-03 10:10

美光科技(Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存,支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel 凌动 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的理想存储解决方案。

美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点, 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提高,采用50纳米制程更有助于降低功耗,并减少内存占用(memory footprint)。

美光DRAM营销副总裁Robert Feurle指出: “美光2Gb 50纳米DDR2器件正是英特尔将推的基于Intel 凌动 的Oak Trail 平台的最佳搭配。它功耗低、内存容量高和高性能特性适合繁荣的平板电脑市场。除此之外,美光也正不遗余力地开发50纳米系列产品,以继续支持客户在这项技术上的创新。”

英特尔移动事业群(Mobile Product Group)总监 Erik Reid 认为,“即将推出的 Intel 凌动 ” Oak Trail 平台是为平板电脑和上网本的轻巧设计而量身打造的。Oak Trail 耗电低且具备适合多任务、丰富媒体(rich media)和互联网环境的性能,这些特性和优势结合美光的2Gb 50纳米DDR2内存,为满足双方客户的设计需求提供了强大的解决方案。”

美光为客户开发的DDR2内存维持一贯对质量的高要求,提供优异的性能和多种配置、容量和封装的选择。最新型50纳米DDR2系列产品包括:

从512Mb到2Gb多种容量器件可供选择,提供X4/X8/X16封装

从1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模块配置

传输率高达800 MT/s,为更高的总线速度(Bus Speed)提供迁移路径

支持1.55伏特电压,降低内存系统耗电

美光预计于2010年9月开始提供2Gb 50纳米DDR2内存样片,计划于2010年第四季度正式 量产。


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