瑞萨宣布推出2款功率半导体器件

　　新推出的2款新型功率半导体产品均采用了工艺先进的第11代小型、低损耗功率MOSFET,并将组成DC/DC转换器的一对功率MOSFET（注释2）整合于同一封装内。因此它们不仅可实现安装面积比瑞萨电子早期的功率MOSFET产品小一半的3.2mm × 4.8mm × 0.8mm（最大值）超小型封装尺寸，还可实现高达95.2%的业界最高效率，使功耗得到了大幅降低。

　　目前，2款新产品样品的单价均为50日元，并计划于2010年12月起批量生产。预计到2011年7月以后，2款产品月产量将达到合计200万个。

　　通常，由于笔记本电脑、服务器和图形卡等信息与通信产品中的CPU、GPU、存储器和ASIC等器件所需要的电源电压低于电池提供的电压，因此这些产品一般会内置多个用于降压的DC/DC转换器。而随着信息产品等的日趋小型化与薄型化，它们所搭载的DC/DC转换器也不断朝更小、更薄、更高效的方向发展。

　　为了满足上述需求，瑞萨电子在原有技术的基础上，进一步推进其功率MOSFET产品的小型化和高散热化发展，并推出了本次将一对功率MOSFET搭载于一个封装内的全新超小型产品。

　　新产品的主要特性如下：

　　（1）安装面积小于原有产品一半，从而实现了更小巧的高密度电源设计

　　在尺寸为3.2mm × 4.8mm的超小型HWSON3046（瑞萨电子封装编号）封装内使用了一对功率MOSFET来实现电压转换。安装面积与瑞萨电子早期尺寸为5.1mm × 6.1mm的WPAK（瑞萨电子封装编号）封装相比，小了约一半。这样就能够设计出更小巧、安装密度更高的DC/DC转换器。

　　（2）实现了业内最高的效率，大大降低了电源功耗

　　在300kHz的开关频率下，瑞萨电子第11代低损耗功率MOSFET实现了目前业内最高水平95.2%的高效率（输入电压：12V,输出电压：3.3V），这使电源的总效率得到进一步提高。

　　此外，在用于实现电压转换的一对功率MOSFET中，还在用于实现同步整流（低端）的功率MOSFET上整合了片上肖特基势垒二极管。这使DC/DC转换器在死区时间（注释3）内，功率MOSFET到肖特基势垒二极管的电流转换时间得以缩短，从而降低了功率损耗。更值得一提的是，新产品还可有效抑制功率MOSFET接通时的电压跳变，从而降低电磁噪声。

　　和早期的WPAK封装一样，HWSON3046封装具有出色的散热性能，而器件下所配备的压料垫，能够将功率MOSFET工作时所产生的热量传导至印刷电路板，这使功率MOSFET能够处理更大的电流。

　　今后，瑞萨电子将继续开发可同时搭载2个芯片的HWSON3046封装，并不断推出满足DC/DC转换器所需电源方式的各类产品。

　　欲了解新产品的技术规格，敬请参照独立数据表。

　　注释1:DC/DC转换器：将直流（DC）电压转换为指定电压的电路。

　　注释2:一对功率MOSFET:由一个用于实现控制转换（高端开关）的控制功率MOSFET,与另一个用于实现同步整流（低端开关）的功率MOSFET组成。2个功率MOSFET的轮流开关工作即可实现电压的转换。

　　注释3:死区时间：功率MOSFET断开和它完全进入断路状态之间存在着较小的时滞。因此，在控制功率MOSFET和同步整流器功率MOSFET轮流开关时，在一个断开之后、另一个接通之前有一个较短的时间段。该等待时间即被称为“死区时间”.