台系DRAM厂明年可望大幅增长

国际电子商情 2010-09-02 a:1:{i:0;s:4:"DRAM";}

据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。

南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRAM厂之冠。

观察台系DRAM产业的发展史，以华邦成立于1987年最早，孕育台系DRAM人才无数，台湾DRAM产业于1994年后快速发展，力晶、茂德与南科相继成立，与日系厂商展开技术合作，华亚科与瑞晶于2003年与2007年以台湾、德国及台湾、日本合资设厂，使台湾DRAM产能于2008年底月投片量达53万片，占全球DRAM投片量35%，成为全球12寸DRAM厂密度最高的国家，但在2007年至2009年严重的供需失衡下，台系DRAM厂也承受极大的财务亏损压力。

集邦统计，韩系厂商在今年第二季营收排名的市占率已达55.3%，比2008年第四季金融风暴时期的45.5%，成长近10%，而台系DRAM厂也在今年DRAM景气回升中，力求加强产业竞争力，各公司策略布局分析如下：

在台系DRAM厂中，华邦正积极退出标准型DRAM生产，加强NOR Flash、Mobile DRAM、GDDR(绘图用内存)及SDRAM(利基型内存)等四项产品线，在NOR FLASH市场短缺下，华邦成功调整产品线，确保生产获利率稳定并持续提升，同时华邦决定以奇梦达所开发的46nm为基础，自主研发46nm，于2011年底量产。

在尔必达联台抗韩策略下，力晶、瑞晶与茂德与尔必达合作在未来更为密切，除加速制程转进，为降低单项产品价格波动风险，力晶的产品线策略，采取标准型DRAM、代工与Flash三者并进的经营模式，并于今年底导入DRAM 45nm制程，加上瑞晶产能贡献三成，产出及营收可望持续成长。代工也继续以每月三万片至四万片的投片与客户合作并计划明年将65nm制程导入代工生产，Flash方面明年则将有50nm制程1Gb SLC及40nm制程的MLC 16Gb产出。

瑞晶成为尔必达的子公司后，在母公司的策略规划下将成为尔必达的生产标准型DRAM的重镇，预计今年底可有六台浸润式机台移入，并计划于明年首季底全数转入45nm制程。

茂德方面，目前中科厂已经恢复至满载6万片，今年底，投片3万片是帮尔必达代工63nm制程，加上未来尔必达考虑将低容量的Mobile DRAM委外交给茂德，以后茂德将有一半以上的产能以代工性质为主。