飞索转型求生存

飞索表示，除了已耕耘20年的车用NOR Flash产品线外，飞索也会把大量资源放在内嵌式产品上，这会是未来成长性最高的产品线，且随著营运弹性化的策略彻底落实，飞索在回应市场变化和客户需求上也未更快速。

全球内嵌式NOR Flash领域的竞争状况也相当激烈，过去飞索在此市场产品线相当齐全，从16Mb~512Mb以及1Gb和2Gb等高容量产品线都很齐全，其它竞争对手还包括三星电子(Samsung Electronics)、恒忆(Numonyx)、超捷(SST)旺宏、华邦、Atmel等。

飞索过去营运包袱相当重，主要来自于自有晶圆厂的负担，2010年飞索将日本1座12寸晶圆厂和1座8寸晶圆厂卖给德仪后，主要的生产重心放在位于美国德州奥斯汀的12寸厂Fab 25。

企业营销总监John Nation强调，未来飞索的生产策略上，仍是会以自有的Fab 25厂房为主，其它委外代工的对象还有德州仪器、中芯半导体等；在制程技术上，在Fab 25厂房方面，主要制程技术为110纳米、90纳米和65纳米，未来仍可持续扩产；与德仪合作的制程技术则以110纳米为主；与中芯的代工合作则是以65 纳米制程为主。

再者，飞索也与尔必达(Elpida)合作NAND Flash产品，将以尔必达在日本广岛的12寸晶圆厂做为生产基地，初期从43纳米切入，未来再持续导入32纳米，双方也宣布采用飞索MirrorBit Charge-Trapping技术的4Gb容量SLC(Single-Level Cell)芯片正式问世，计划2010年第4季试产，在2011年第1季可步入量产。