莱迪思半导体推出其新的MachXO2™ PLD系列

莱迪思半导体公司（NASDAQ: LSCC）今天宣布推出其新的MachXO2? PLD系列，为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中前所未有的低成本，低功耗和高系统集成。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺，与MachXO? PLD系列相比，MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗并减少了高达30％的成本。此外，在低密度可编程器件应用中的一些常用的功能，如用户闪存（UFM）、I2C、SPI和定时器/计数器已固化到MachXO2器件中，为设计人员提供了一个适用于大批量、成本敏感设计的“全功能的PLD”。

“通过65纳米嵌入式闪存技术的使用，为我们计算机，工业和电信基础设施市场的用户降低了成本，并增加了功能，同时为消费者设备的设计人员大大降低了功耗，”低密度和混合信号解决方案营销总监Gordon Hands说道。 “许多早期用户已经在评估MachXO2器件，并在广泛的应用中用MachXO2器件进行设计。”

三款器件选择提供了最大的设计灵活性
MachXO2系列提供了三种最大的灵活性选择。MachXO2 ZE器件拥有256到7K查找表（LUT），工作电源电压标称值为1.2V，并支持高达60MHz的系统性能。可提供低至19uW的功耗和小至2.5mmx2.5mm封装，MachXO ZE器件专为成本敏感、低功耗的消费类应用设计而优化，如智能电话、GPS和PDA等。

MachXO2 HC器件拥有256到7K查找表（LUT），工作电源电压标称值为3.3V或2.5V，并支持高达150MHz的系统性能。提供多达335个用户I/O和强大的设计解决方案（瞬时上电、非易失性、输入迟滞和单芯片），这些器件是控制型可编程逻辑器件应用在终端市场的理想选择，如电信基础设施、计算、工业和医疗设备。

MachXO2 HE器件拥有2K到7K查找表（LUT），工作电源电压标称值为1.2V，并支持高达150MHz的系统性能。这些器件专为功耗敏感的系统应用而优化。

早期客户的反应

“在过去的两年里，我们已经在我们的CCTV视频光纤多路复用器中使用了MachXO PLD，因为他们提供了令人赞赏的系统集成优势，并将灵活和符合成本效益的架构整合在一起，” Obtelecom工程副总裁Zhu Guangxin先生说道。 “对于我们的下一代产品，MachXO PLD将使我们能够以较低的价格为我们的客户提供更多的功能。”

“我们一直在用MachXO2器件进行设计，并将它们用于我们的CNC（计算机数控）产品，”KND CNC Technique研发经理An Luping先生说道， “MachXO2系列独特的系统集成优点，例如固化的I2C / SPI功能和用户闪存，低功耗和极具吸引力的价格相结合，使我们使用这些器件作为替代高风险和昂贵的分立器件ASIC和ASSP的选择。