DRAM价格猛降 产能暴涨

虽然笔记本电脑九月出货优于预期，由于传统旺季需求仍不畅旺，季成长仅2.6%。DRAM产出方面，除了三星由于制程优于其它同业，加上浸润式机台移入时间早，产出量的增加在第三季达到顶峰，也让三星在第三季营收有着亮眼的表现。

反观其它DRAM业者，浸润式机台移入时间点大都集中在今年下半年，产出量亦在第四季大增，供给大于需求加上 DRAM厂商有销货上的压力，以较低的价格争取订单，是造成十月下旬合约价加速赶底的主要原因。集邦科技预估，今年年底DDR3合约价格可能下看20美元，下跌幅将超过30% (QoQ)。

由于预见DRAM价格大幅下跌，DRAM厂纷纷对未来资本支出转趋保守，如三星Fab16的建设，将视未来市场状况做调整，台系厂如力晶亦下修资本支出约20%至160亿台币，日台合资的瑞晶R2厂扩厂计划也延后讨论。

另外尔必达更在11月4日F2Q法说上，宣称将把减产标准型DRAM月产能至6万片，减产方向可能降低委外代工部分，或降低日本广岛厂标准型DRAM的投片量。11月8日，力晶跟进宣布减产标准型 DRAM 10%~15%，将产能转至代工产品。同时市场也传出海力士因44nm良率不佳，影响第三季及第四季的产出。

展望2011年，集邦科技预估 2011年 DRAM 产出全年成长率在厂商加速制程转进下，仍可达50%。各家的制程转进状况，三星35nm制程预计明年下半年将超过50%，其余国际厂也加速3Xnm进程，海力士、美光及尔必达均预计明年第二季末量产3Xnm技术；台系厂明年则以加速转进4xnm 为目标。各家竞相转进制程，期望将生产成本再降低，以因应DRAM快速下跌的速度。

DRAMeXchange 预估，DRAM价格可望在明年第一季或第二季落底。2011年PC 销售成长预计达11.8%，加上Tablet PC 刺激Mobile RAM需求成长80%以上，然而在标准型DRAM价格大跌隐忧下，DRAM厂明年上半年资本支出可能将保守以对，预期明年第一季，低价DRAM可望刺激计算机厂商增加DRAM 搭载率。

DRAMeXchange预估2011年DT以及NB单机搭载率分别成长至4.22GB/4.00GB，年增率36%以及31%，市场期望DRAM搭载的成长，能让市场由超额供给回复至供需平衡，下半年市场价格走稳。