美光:下季DRAM和NAND Flash报价看跌

美光:下季DRAM和NAND Flash报价看跌

 美系内存大厂美光(Micron)预测2011会计年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash报价将持续走跌，其中DRAM价格会下跌约25%，而NANDFlash价格会下跌约10%，美光表示，将致力于制程技术微缩，以期能持续降低生产成本，因应需求不如预期的市况。

    受到个人计算机(PC)市场的终端需求不如预期，导致DRAM市场陷入严重供过于求，报价也持续下滑，加上NANDFlash报价也是持续有跌，美光2011会计年度第1季获利腰斩，但连续5个季度都交出连续获利成绩单，财报结果算是没有偏离市场预期太远。

    美光2011年第1季营收为23亿美元，净利1.55亿美元，每股盈余0.15美元；与2010年第4季营收25亿美元相当，但与上季净利为3.42亿美元，第1季获利明显大幅度缩水，而上季每股盈余高达0.32美元，第1季每股盈余也是腰斩。

    若与前1年同期2010年第1季相较，当年度营收为17亿美元，但净利达2.04亿美元，每股盈余达0.23美元，相形之下，2011年第1季的获利能力也同样降低。

    2011年第1季内存产品线毛利率为26%，相较于2010年第4季37%大幅减少，主要是因为报价下跌的影响，但制造成本下降也抵销部分报价下跌的冲击。

    美光表示，2011!年第1季DRAM和NANDFlash平均售价(ASP)分别下跌23%和15%~20%，展望第2季售价走势，预计DRAM和NANDFlash报价都会持续下跌，其中DRAM价格会下跌约25%，而NANDFlash价格会下跌约10%。

    以2011年第1季美光的出货量和位成长率来看，DRAM出货量成长5%，位成长率下降3%；NAND Flash出货量成长20%，而位成长率则成长8%；展望第2季，美光表示，预计DRAM为位成长率将接近两位数，而NANDFlash位成长率约15%。

    虽然预计DRAM和NAND Flash价格会持续往下，但美光在制程微缩脚步上也丝毫不懈怠，在转进50奈米制程后，也将尽快转进42奈米制程；美光表示，2011年第1季DRAM和NANDFlash成本分别下降10%和12%，预计第2季DRAM成本可再降近10%，NANDFlash将再降个位数。