五大趋势，2011年DRAM市场走低

电子工程专辑 2011-01-13 a:5:{i:0;s:7:"2011年";i:1;s:4:"DRAM";i:2;s:6:"趋势

2011年DRAM市场将会是什么景况？以下是投资银行Barclays Capital分析师C.J. Muse收集产业界各方消息所归纳出的五项发展趋势：

1. DRAM市场走下坡

Muse表示，2011年NAND市场前景不错，但DRAM市场可能相反；主要是因为平板电脑开始蚕食低阶笔记本电脑与迷你笔电(netbook)市场，在这种情况下，原本较小尺寸笔记本电脑所搭载的DRAM量，平均每台约2GB，却被代换成平板电脑每台仅256Mb、也就是只有1/8的平均搭载量，意味着DRAM将供应过剩。

2. 转向3x纳米制程

整体看来，所有的DRAM供货商都开始转向3x纳米制程，包括三星(Samsung)与海力士(Hynix)；日本尔必达(Elpida)也在试图从65或6x纳米直接跳到3x纳米，期望能因此大幅缩减成本。

3. 韩厂双强独大

DRAM市场不同于NAND市场仍存在众多一线厂商，已开始呈现韩国两大厂商独霸的状况，目前仅有三星与海力士能称为DRAM市场的一线供货商(以技术水准与获利表现来看)，美光(Micron)、南亚科(Nanya)、华亚(Inotera)则是二线厂商(财务状况与技术水准稍逊)，至于尔必达、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)则排第三线(技术水准与财务状况都有很大的进步空间)。

三星是DRAM市场最受关注的焦点，目前该公司也垄断了30纳米制程DRAM生产所必需的NXT微影工具订单；今年度，三星最成功之处在于提高了DRAM市场占有率，估计2010年全球DRAM市场成长率在45~50%之间，该公司的DRAM业务成长率可高达70%。

紧追于三星之后的另一家一线厂商海力士，目前唯一的问题是负债与管理阶层，而这些状况可望在2011年获得解决；海力士在中国无锡厂生产4x纳米与3x纳米的DRAM，在其产品架构于明年由8F2转进6F2之后，可望取得更进一步成长动力。

4. 美光阵营面临艰困时刻

美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一线厂商，但其前景取决于沟槽式制程转换至堆栈式制程的顺利与否；虽然该公司在2010年初曾出现订单量大增，但良率表现不太令人满意，整年度的位成长率表现也不佳。

由于制程转换不顺，美光的合作伙伴南亚科与华亚的50纳米制程良率问题也未解决，因此美光要转进40纳米与30纳米，恐怕会很艰难；但Muse预期，明年也许会有一些转机。

5. 尔必达的豪赌

尔必达目前正尽全力想成为领导级厂商，在日本与台湾两地积极募资；此外在技术部分，该公司开发出65纳米微缩制程65纳米XS，抢在DRAM价格仍不错的时候多赚一些利润；同时也试图跃进40纳米与30纳米制程。