三星权五铉：DRAM价于第1季触底回升

DRAM价格从2010年第3季开始价格持续呈现跌幅，而2010年12月更是跌破1美元关卡，进入2011年后始见缓和。韩国业界也有推测指出，DRAM市场有可能更快趋于稳定。业者认为权五铉的发言是暗示DRAM价格已接近谷底。

此外，权五铉也表示，快闪存储器(NAND Flash)于2011年内将会维持稳定的上升势。平板计算机(Tablet)、智能型手机(Smartphone)需求稳定，固态硬盘(SSD)的需求也正逐渐增加，因此价格能维持稳定，甚至可能因需求增加而出现价格暴涨情况。

权五铉对于2011年三星对半导体的投资案表示，先前已宣布将投资约10.3兆韩元(约92.08亿美元)发展半导体事业，系统LSI领域约4兆韩元(约3.58亿美元)，其余则将投资存储器事业。而10.3兆韩元投资额将视每季市场情况决定是否要进行追加投资。而权五铉对16产线则未透露任何消息。

近来韩国政府将系统单芯片列入重点培育事业，权五铉对此表示，美国奥斯汀厂系统LSI产线将会如同先前公布的内容一样，2010年及2011年合计投资4.5兆韩元(约40.23亿美元)。

此外，美国奥斯汀厂产线将于2011年下半投入量产。32纳米制程也将于2011年下半推出实验性产品，并自2012年起生产多数的系统单芯片。对于晶圆代工方面则表示，2010年首度挤进10大企业中，2011年机会更努力，成为领先企业。

海力士(Hynix)社长权五哲则认为目前DRAM价格已至谷底，并预测第1季便可能出现反弹。对于系统单芯片方面，权五哲则表示，所有事情都有先后顺序，将会先把存储器领域做好，才发展其它事业。