NAND闪存产品向更高级制程节点转移

尽管NAND闪存厂商都在积极向亚30nm制程转移，但按闪存业者的看法，只有将这些高级制程投入量产使用才较有实际意义。NAND闪存产品向更高级制程节点转移时，所需的产品验证时间越来越长，便是这一看法的明证之一。

　　据业者透露，30nm级别制程的NAND闪存产品初定的客户验证时长是在3-6个月左右，但是后来由于闪存产品的性能，质量和可靠性方面的要求提升，客户们已经将产品的验证时间延长到了9个月。

　　消息来源还透露说三星和东芝的2xnm制程级别NAND芯片目前也都还没有通过其最大客户苹果的验证。

　　在新制程产品的量产方面，Intel和镁光走在了前面，他们共同开发的25nm制程芯片已经于今年上半年投入了量产，而三星则随后才开始提升其27nm闪存芯片的产量，东芝的24nm产品以及Hynix的26nm产品也随后跟进提升产量。这标志着各家主要的NAND闪存厂商开始了争相转移到20nm级别制程的新一轮竞赛。

　　由于镁光和Intel定于今年下半年从25nm制程转向20nm制程，加上三星，东芝和Hynix届时也会分别从27nm转向21nm节点，从24nm转向19nm以及从26nm转向20nm制程节点，因此预计到时NAND闪存芯片市场的竞争将变得非常激烈。