三星、东芝NAND Flash市占差距缩减至0.3%

据韩国媒体报导，2011年第1季NAND Flash市场上，日厂东芝(Toshiba)猛力追击，以市占率0.3%差距，威胁三星电子(Samsung Electronics) 8年来业界第1的地位。然而在快速成长的行动DRAM市场上，三星仍坐拥压倒性的市占率。

外电引用市场调查机构iSuppli统计指出，第1季NAND Flash市场上，三星营收为19.12亿美元，以市占率35.9%排名业界第1。排名第2的东芝同时期营收为18.95亿美元，市占率35.6%，仅相差3个百分点。

2010 年第4季东芝营收为16.64亿美元，较2010年第3季增加13.9%；三星同期间则增加11.4%。外电指出，比较2011年第1季和2010年第1 季时，东之营收增加28.5%，然三星却仅增加13.8%，使2010年第1季仍有1.1%的市占率差距缩减至0.3%。

NAND Flash市场上排名第3的美光(Micron)营收为5.91亿美元，市占率为11.1%。排名第4的企业为海力士半导体(Hynix)，营收及市占率各为5.63亿美元和10.6%。

外电指出，三星在NAND Flash市场上维持了8年以上的冠军地位，未来将要付出更多的努力恢复其市占率。然预估第2季三星和东芝将会为争夺业界第1的地位而展开激烈竞争。另外，第1季的调查数据中仍未反应出日本大地震带来的影响，至第3季初为止，可能都不会有明显的影响。

另一方面，外电也指出，三星在行动DRAM市场的表现不同于快闪存储器市场，2011年第1季以营收11亿美元、市占率48.2%稳坐第1名地位。三星市占率比排名第2的海力士和排名第3的尔必达(Elpida)合计市占率46.7%还高，居领导地位。

以年度营收成绩来看，三星营收成长126%、海力士为173%、尔必达则是607%，行动DRAM正呈现爆炸性的成长。