DRAM报价直落 尔必达逆势大举募资
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2011-07-13 09:19
DRAM产业产品价格一再破底,但DRAM厂募资脚步却从未停歇,像茂德计划募资是为寻找活下去的救命钱,尔必达(Elpida)日前也宣布要发行500 亿日圆(约新台币179亿元)新股和近300亿日圆的可转债,决定大举投入30纳米和25纳米制程,并加码行动装置用存储器的技术投资。不过由于尔必达这次在市场景气低迷之际,进行如此大规模的募资行动,也引发市场不小争议。
DRAM报价持续破底,反应终端需求极度疲弱和通路端库存水位仍相当高,市场对于DRAM产业第3季是否会如期有返校需求发生,以及第4季圣诞节旺季都抱存迟疑,但台系和国际DRAM厂都陆续在此景气低迷时刻宣布募资动作,各自有各自的理由。
茂德日前宣布的私募计画,其实是从2010年一直延宕至2011年才办理,计划引进新策略性投资人,这对于茂德而言相当重要,因为茂德的减资计画和银行团的以债做股计画,都要视这次的募资对象而定,对于茂德而言,这次募资是寻找救命钱。
尔必达日前也宣布大手笔募资计画,包括超过500亿日圆的新股和275亿日圆的可转换公司债,预计增资800亿日圆,换算接近10亿美元,几乎是创下日本金融产业以外的上市公司规模最大之募资。
对于尔必达这次的庞大募资计画,如果是发生在半导体产业景气好时,是相当自然的事,但下半年半导体景气能见度低,DRAM报价更是持续破底,尔必达选在此时办理募资,引发市场好奇。
尔必达指出,这次的募资是要用在制程技术转进,包括先进的30纳米和25纳米制程上,尔必达已在2011年5月宣布成功以25纳米制程开发2Gb DDR3芯片,6月也宣布成功研发超薄0.8mm的四段堆叠DRAM封装技术,并领先采用TSV堆叠技术生产DDR3样品。
尔必达将加速30纳米制程比重,目前30纳米制程占整体产能约15%,预计2012年第1季末之前,让30纳米制程比重占日本广岛厂加上台系代工厂DRAM产能的75%,同时在2011年底导入更新一代的25纳米制程。
再者,尔必达的募资另一个重要目的是用在手持式装置上,意即未来会特别着重在智能型手机及平板计算机的存储器,以及云端运算带动的服务器用DRAM。
尔必达指出,虽然日本东北311大地震造成的产业供应链混乱状况大致已告一段落,但因全球经济景气不佳导致半导体景气低迷,且欧美、日本等市场的PC换机需求动能不足,使得公司的位元成长率低于预期,未来尔必达会强化手持式存储器产品。
不过,由于茂德近期已开始与银行团协商以债作股,来解决公司的负债问题,再搭配减资和再增资来强化营运体质,之前曾经宣布尔必达虽然已宣布不会对茂德挹注资金,但未来银行团以债作股后,茂德财务体质转佳,市场认为尔必达说不定会再重燃兴趣。
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