富士通导入0.18微米FRAM生产技术

铁电随机内存的材料，是钙钛矿类型结构(ABO3)的PZT，在施加和排除外电场后，PZT的电极化仍然存在，有非易失性的特质，在数据存储上所消耗的电量非常小，富士通半导体在1998年就将铁电随机内存结合到微电脑中，是发展铁电随机内存的先驱之一。

铁电随机内存属于非易失性，但在其他各方面则类似于随机内存，如闪存和电可擦除只读存储器(EEPROM)等，铁电随机内存的特点是写入速度更快，擦写次数更快，且同时具有低耗电特性；以读写速度来看，铁电随机内存比EEPROM读写速度快3万倍、擦写次数高出10万倍、耗电少200倍。

富士通半导体指出，铁电随机内存技术将SRAM的快速读写和非挥发性闪存等特性，都整合至1颗芯片，日前已开始用0.18微米制程生产SPI FRAM产品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A等3款系列，提供的内存容量分别为256Kb、128Kb和64Kb等，目前开始提供客户样品。

富士通进一步指出，这3款芯片的工作电压范围介于3.0~3.6V之间，可承受的读写次数达100亿次，并能将资料保存在55°环境下长达10年，其工作频率已提高至最大25MHz。

再者，因为铁电随机内存产品在写入的处理过程中，不需要电压增压器，很适合低功率应用，且因为具有标准内存针脚配置的8针脚塑料SOP封装，因此和EEPROM芯片兼容。

富士通表示，这款铁电随机内存独立芯片可用于测量、工厂自动化应用和众多需要数据撷取、高速写入和高耐用性等功能的相关产业，未来富士通会进一步扩充铁电随机内存的产品线阵容，并以开发制造经验用于整合芯片设计和生产上，紧密互相配合。