闪存终结者忆阻器或于2013年商用化

       HP的一位发言人表示目前尚未有确切的忆阻器产品发展蓝图，但他证实“HP的目标是在2013年底前看到忆阻器产品。”

       Williams表示，忆阻器在改变位元状态、读/写时间、保留或擦除数据等方面的性能都相当引人瞩目，具有取代闪存的潜力。因此“在2014/2015左右我们将进入后DRAM和SRAM世代，”Williams对于推动忆阻器快速成为通用存储器相当有信心。

       Williams拒绝评论有关HP和Hynix目前在制程技术、记忆体容量或是记忆效应材料等方面的研发细节。“我们在Hynix的晶圆厂中试制了数百片晶圆。我们对目前的进展很满意。”不过，Williams仍未透露首个商用化记忆体是否会是多层元件。

       当发展这项技术的成本成为一种挑战时，便有可能成为未来与量产型闪存市场竞争的阻碍。对此Williams指出，在每位元价格的基础上，若不计NRE费用，我们是有可能实现更低成本的。

       结合了存储器与电阻特性的忆阻器，最初是柏克莱大学教授蔡少棠(Leon Chua)于1971年提出的两端点元件电器特性的理论。而到了2008年，HP在《Nature》上提出了一篇论文，结合了两端点钛氧化物元件的IV特性和蔡少棠所预测的忆阻器特性。“我们发现，在纳米级架构中移动少数几个原子，就能改变三个数量级的阻值。事实上，许多纳米元件都具备固有的忆阻(memresistive)行为，”他说。

       过去三年来，惠普已经累积了约500个忆阻器专利。他也承认，相变存储器(PCM)、电阻式RAM(RRAM)和其他的两端点存储器也都可归类为忆阻器类型元件。Williams也表示，目前也有许多其他公司正在研究金属氧化物电阻RAM，三星目前也有一个比惠普更大的团队在进行研究。Williams指出，忆阻存储器开关或电阻式RAM元件在存储器容量方面都胜过闪存。“我们能超越最先进闪存达一倍之多。”

蕴涵逻辑和突触

       Williams比较了HP的电阻式RAM和闪存技术，并声称其电阻式RAM在所有比较项目中均可达到或超越闪存的性能。据表示，其读取时间少于10ns，而写入/擦除时间约为0.1ns。另外，最近测量结果显示，HP元件的资料保存能力大约可达到10^12周期。

       忆阻器存储器的最大优点之一，在于它的结构简单，因此它能采用全球晶圆厂在制造CMOS兼容元件时所使用的通用材料。