身份证升级 芯片供应商业绩预期增强
随着第一代居民身份证废止期限的逐渐明确，第二代居民身份证有望正式植入指纹信息技术，加之专家呼吁推行融入金融服务业务的“一卡通”型第三代居民身份证，居民身份证芯片供应商开始吸引市场的眼球。
通信世界周刊10月28日消息，十一届全国人大常委会第二十三次会议10月24日听取了国务院关于提请审议《中华人民共和国居民身份证法修正案(草案)》议案的说明。草案拟增加规定“公民申请领取、换领、补领居民身份证的，应当登记指纹信息”，并拟规定第一代居民身份证自2013年1月1日起停止使用。同时，有专家建议，因第二代身份证防伪能力较差，且功能单一，可用包含公民身份唯一性且不会发生改变的指纹、虹膜、DNA等生物特征信息的第三代居民身份证取代第一、二代居民身份证，为居民身份证植入银行卡信息、交通卡信息、日常生活信息如购物卡、打折卡等。
消息一出，市场中居民身份证芯片供应商表现活跃。24日，尽管晶源电子发布的三季度财报显示，公司1至9月净利润同比减少23.75%，但当日仍收涨2.31%，25日更是跳空高开，收涨6.71%；大唐电信也在25日收出5.28%的涨幅。
有关研究资料显示，上海华虹、北京华大电子、大唐电信旗下的大唐微电子和同方微电子目前均分了国内二代居民身份证芯片市场。
今年5月，大唐电信宣布正式推出具备金融功能的32K社保卡芯片产品DMT-CTSB32A4，并实现规模商用。
而晶源电子与社保卡芯片、居民身份证芯片扯上关系，则源于同方微电子。2010年11月，晶源电子发布资产重组公告，重组后晶源电子将持有同方微电子100%股权。据同方微电子官网，同方微电子主要资质和典型产品应用包括：商用密码产品生产定点单位和销售许可单位；第二代居民身份证专用芯片模块设计单位和生产供应商，及二代证机具射频芯片供应商；移动通信SIM卡芯片供应商；公交CPU卡芯片和读写机具射频芯片供应商；京津城际铁路快通卡芯片提供商；电子标签密码应用技术体系研究专项工作组成员；RFID标准工作组成员，专题组副组长等，公司致力于身份识别、电信运营、金融交易、防伪及物流等领域智能卡和RFID电子标签的核心芯片开发，产品累计出货已经超过5亿颗。
25日，金元证券在推出的研究报告中表示，鉴于社保卡加载金融功能，芯片价格将增至传统价格的一倍以上；居民身份证的升级换代使得身份证芯片出货量重新进入快速增长通道，以及手机钱包业务的进一步推广，手机支付芯片步入放量阶段等原因，同方微电子的业绩有望超预期。
TD-LTE芯片获空前力度支持挑战亦明显
TD-LTE国际化发展中一个重要环节即是芯片终端能力的成熟。在高通和意法爱立信引领下，英特尔、Nvidia、Marvell、海思等相继成为产品能力突出的厂商，纷纷计划于今年底推出多模TD-LTE芯片。此前在4GWiMAX终端芯片上领军行业的Sequans也于不久前加入了TD-LTE试验。
可以看出，TD-LTE获得的国际和中国芯片企业的支持力度已经远远高于TD-SCDMA时代。
提早布局成关键
曾有多年芯片领域经验的TD技术论坛秘书长时光对本刊记者坦言，芯片与系统设备的研发有很大不同，系统设备一旦有了底层技术，打好设备基础，功能基本实现，就离商用不远了，在提高设备可靠性、进一步优化成本后就可推向市场。
而芯片从功能实现到真正上百万片出货，要经过两次以上的流片、一年甚至更久的商用前期测试和准备才能量产，这是芯片产业特定的一个规律。如果再算上协议栈的调试、物理层的调试等环节可能需要更长的时间。
正因此，目前在LTE市场上引领终端方向的国际/国内芯片企业都已提早布局。
去年在印度政府的BWA频谱拍卖中，高通赢得了2.3GHz上的一个20MHzTDD频谱，并且还在印度成立了LTE合资公司，主要进行3G和LTE互操作性测试及推动TD-LTE基础设施、芯片组和终端的商用进程。也是在去年，基于高通SnapdragonS2系列处理器和MDM9600的USB调制解调器，美国VerizonWireless运营商于2010年12月推出全球首个大规模LTE商用网。今年，高通基于其MDM96003G/LTE多模芯片，又与华为在印度运营商Aircel现网上完成全球首个GSM/WCDMA/TD-LTE现网互操作测试。
除了国际芯片企业，国内的联芯科技、展讯、中兴等已经完成TD-LTE芯片的设计定案；联发科技多模TD-LTE(GSM/TD/TD-LTE)整体方案已经研发完成，明年有望量产。
据悉，高通还将推出支持LTEFDD和LTETDDUE第4类移动宽带标准的芯片组，将支持150Mbit/s的下行峰值数据传输速率。
LTE商用后产品形态将进一步丰富
看中了LTE芯片需具备高集成度、多模、跨操作系统、高处理能力、多媒体性能以及低功耗、软硬件结合等特点，被高盛集团评价为“可能引领多模LTE/3G芯片市场”的意法爱立信也在去年积极行动，与广达、诺基亚共同演示了基于其芯片开发的平板电脑、booklet等终端，今年的产品重心则更多地放在LTE多模芯片上，继今年2月推出了两款HSPA+/LTE多模纤型调至解调器ThorM7300(支持TD-LTE、FDDLTE、HSPA+、TD-SCDMA、EDGE)以及ThorM7400后，今年第二季度已将多模LTE参考设计送至测试环节。
意法爱立信中国区总裁张代君称：到LTE商用阶段终端产品形态还会进一步丰富，除了智能型手机、平板电脑，M2M的使用会有更多需求。
Q&A：TD技术论坛秘书长时光
复杂环境提高TD-LTE芯片难度
商用产品，需要2、3次以上流片才能完成。
2G/3G/4G混合组网模式将持续很长时间，这就要求终端芯片能够支持多种技术、多种频段、多种数据速率和多种业务，大大提高了芯片的复杂程度。此外，对芯片的基带/多媒体/射频一体化的需求已成趋势，而终端价格又不断下降，对于芯片环节的成本压力也越来越大。可以说，对于TD-LTE而言，整个产业链的最大难点还在芯片终端环节。当然，在众多国内外优秀芯片公司的共同努力下，所谓“瓶颈”的局面不会再度形成。
在核心技术方面，本土企业在TD-SCDMA研发与商用方面做了大量的工作，在TD-LTE和TD-SCDMA的混合组网、多模终端开发方面具有非常明显的优势。但在国际市场上，外国运营商往往直接部署单一的TD-LTE网络，本土企业的产品和解决方案输出到国际市场，就面临与国际厂商的在技术、质量、服务、价格方面的正面竞争了。
国际电信业巨头都已推出了TD-LTE的完整解决方案，不仅仅包括设备本身，还包括软件和业务。本土厂商还需要在整体方案集成、应用软件开发以及移动互联网和物联网新业务支撑等方面持续努力。
通信世界周刊10月28日消息，十一届全国人大常委会第二十三次会议10月24日听取了国务院关于提请审议《中华人民共和国居民身份证法修正案(草案)》议案的说明。草案拟增加规定“公民申请领取、换领、补领居民身份证的，应当登记指纹信息”，并拟规定第一代居民身份证自2013年1月1日起停止使用。同时，有专家建议，因第二代身份证防伪能力较差，且功能单一，可用包含公民身份唯一性且不会发生改变的指纹、虹膜、DNA等生物特征信息的第三代居民身份证取代第一、二代居民身份证，为居民身份证植入银行卡信息、交通卡信息、日常生活信息如购物卡、打折卡等。
消息一出，市场中居民身份证芯片供应商表现活跃。24日，尽管晶源电子发布的三季度财报显示，公司1至9月净利润同比减少23.75%，但当日仍收涨2.31%，25日更是跳空高开，收涨6.71%；大唐电信也在25日收出5.28%的涨幅。
有关研究资料显示，上海华虹、北京华大电子、大唐电信旗下的大唐微电子和同方微电子目前均分了国内二代居民身份证芯片市场。
今年5月，大唐电信宣布正式推出具备金融功能的32K社保卡芯片产品DMT-CTSB32A4，并实现规模商用。
而晶源电子与社保卡芯片、居民身份证芯片扯上关系，则源于同方微电子。2010年11月，晶源电子发布资产重组公告，重组后晶源电子将持有同方微电子100%股权。据同方微电子官网，同方微电子主要资质和典型产品应用包括：商用密码产品生产定点单位和销售许可单位；第二代居民身份证专用芯片模块设计单位和生产供应商，及二代证机具射频芯片供应商；移动通信SIM卡芯片供应商；公交CPU卡芯片和读写机具射频芯片供应商；京津城际铁路快通卡芯片提供商；电子标签密码应用技术体系研究专项工作组成员；RFID标准工作组成员，专题组副组长等，公司致力于身份识别、电信运营、金融交易、防伪及物流等领域智能卡和RFID电子标签的核心芯片开发，产品累计出货已经超过5亿颗。
25日，金元证券在推出的研究报告中表示，鉴于社保卡加载金融功能，芯片价格将增至传统价格的一倍以上；居民身份证的升级换代使得身份证芯片出货量重新进入快速增长通道，以及手机钱包业务的进一步推广，手机支付芯片步入放量阶段等原因，同方微电子的业绩有望超预期。
TD-LTE芯片获空前力度支持挑战亦明显
TD-LTE国际化发展中一个重要环节即是芯片终端能力的成熟。在高通和意法爱立信引领下，英特尔、Nvidia、Marvell、海思等相继成为产品能力突出的厂商，纷纷计划于今年底推出多模TD-LTE芯片。此前在4GWiMAX终端芯片上领军行业的Sequans也于不久前加入了TD-LTE试验。
可以看出，TD-LTE获得的国际和中国芯片企业的支持力度已经远远高于TD-SCDMA时代。
提早布局成关键
曾有多年芯片领域经验的TD技术论坛秘书长时光对本刊记者坦言，芯片与系统设备的研发有很大不同，系统设备一旦有了底层技术，打好设备基础，功能基本实现，就离商用不远了，在提高设备可靠性、进一步优化成本后就可推向市场。
而芯片从功能实现到真正上百万片出货，要经过两次以上的流片、一年甚至更久的商用前期测试和准备才能量产，这是芯片产业特定的一个规律。如果再算上协议栈的调试、物理层的调试等环节可能需要更长的时间。
正因此，目前在LTE市场上引领终端方向的国际/国内芯片企业都已提早布局。
去年在印度政府的BWA频谱拍卖中，高通赢得了2.3GHz上的一个20MHzTDD频谱，并且还在印度成立了LTE合资公司，主要进行3G和LTE互操作性测试及推动TD-LTE基础设施、芯片组和终端的商用进程。也是在去年，基于高通SnapdragonS2系列处理器和MDM9600的USB调制解调器，美国VerizonWireless运营商于2010年12月推出全球首个大规模LTE商用网。今年，高通基于其MDM96003G/LTE多模芯片，又与华为在印度运营商Aircel现网上完成全球首个GSM/WCDMA/TD-LTE现网互操作测试。
除了国际芯片企业，国内的联芯科技、展讯、中兴等已经完成TD-LTE芯片的设计定案；联发科技多模TD-LTE(GSM/TD/TD-LTE)整体方案已经研发完成，明年有望量产。
据悉，高通还将推出支持LTEFDD和LTETDDUE第4类移动宽带标准的芯片组，将支持150Mbit/s的下行峰值数据传输速率。
LTE商用后产品形态将进一步丰富
看中了LTE芯片需具备高集成度、多模、跨操作系统、高处理能力、多媒体性能以及低功耗、软硬件结合等特点，被高盛集团评价为“可能引领多模LTE/3G芯片市场”的意法爱立信也在去年积极行动，与广达、诺基亚共同演示了基于其芯片开发的平板电脑、booklet等终端，今年的产品重心则更多地放在LTE多模芯片上，继今年2月推出了两款HSPA+/LTE多模纤型调至解调器ThorM7300(支持TD-LTE、FDDLTE、HSPA+、TD-SCDMA、EDGE)以及ThorM7400后，今年第二季度已将多模LTE参考设计送至测试环节。
意法爱立信中国区总裁张代君称：到LTE商用阶段终端产品形态还会进一步丰富，除了智能型手机、平板电脑，M2M的使用会有更多需求。
Q&A：TD技术论坛秘书长时光
复杂环境提高TD-LTE芯片难度
商用产品，需要2、3次以上流片才能完成。
2G/3G/4G混合组网模式将持续很长时间，这就要求终端芯片能够支持多种技术、多种频段、多种数据速率和多种业务，大大提高了芯片的复杂程度。此外，对芯片的基带/多媒体/射频一体化的需求已成趋势，而终端价格又不断下降，对于芯片环节的成本压力也越来越大。可以说，对于TD-LTE而言，整个产业链的最大难点还在芯片终端环节。当然，在众多国内外优秀芯片公司的共同努力下，所谓“瓶颈”的局面不会再度形成。
在核心技术方面，本土企业在TD-SCDMA研发与商用方面做了大量的工作，在TD-LTE和TD-SCDMA的混合组网、多模终端开发方面具有非常明显的优势。但在国际市场上，外国运营商往往直接部署单一的TD-LTE网络，本土企业的产品和解决方案输出到国际市场，就面临与国际厂商的在技术、质量、服务、价格方面的正面竞争了。
国际电信业巨头都已推出了TD-LTE的完整解决方案，不仅仅包括设备本身，还包括软件和业务。本土厂商还需要在整体方案集成、应用软件开发以及移动互联网和物联网新业务支撑等方面持续努力。