英研发速度比闪存快百倍的新型存储器

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2012-05-21 09:11

  5月21日消息,据媒体报道,英国研究人员最近报告说,他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备,与现在广泛使用的闪存相比,耗电量更低,而存取速度要快上一百倍。

  电阻性记忆体的基础是忆阻材料,这种材料的特殊性在于,在外加电压时其电阻会发生变化,随后即使取消外加电压,它也能“记住”这个电阻值。在此基础上开发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能,是业界近来的研发热点。但以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。

  英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂志》上报告说,他们发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料,相应存储设备可在常规环境下运行,因此应用价值大大提高。

  研究人员安东尼·凯尼恩说,这种新型存储设备的能耗只有闪存的约千分之一,而其存取速度是闪存的一百倍以上。闪存现在已成为人们随身携带的U盘、数码相机、手机等设备中广泛使用的存储设备。(责编:龚飘梅)

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