南昌大学“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术”获“863计划”支持
来源:LEDinside 作者:--- 时间:2012-02-14 00:00
近日,中国科技部公布“十二五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目立项名单,中国共有14项课题获得立项,其中南昌大学申报的“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得资助5000多万元人民币,占该重大专项总金额的21.6%,居14项课题之首。
该课题主要任务是研发成功更高性价比的硅衬底LED照明材料与芯片,推出第二代硅衬底LED芯片,推动产业链和创新链向高端发展,逐步形成具有国际竞争的战略性新兴产业。将由南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心副主任、年仅35岁的赣鄱英才人选王立研究员主持。
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