一种新的氮化镓生长工艺有望制造出更高亮度的LED发光二极管

来源:LED环球在线 作者:--- 时间:2011-01-27 00:00

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  美国北卡罗来纳州立大学(NCSU)的研究人员最近提出了一种新的的氮化镓生长工艺,据称


  和现有工艺比较,这一新工艺有望把材料的缺陷减低千分之一,从而使得那些基于氮化镓的LED发光二极管、功率器件等的输出能力增加一倍。


  NCSU的电子电气工程教授 Salah Bedair 和材料学教授Nadia El-Masry 有意在氮化镓层


  和蓝宝石衬底的界面上引进了一项空穴,结果他们发现,原先固有的材料缺陷被那些空穴


  给吸收掉了,从而提高了氮化镓层的纯度。

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