维利安半导体公司先进太阳能电池开发项目获美国能源部支持

　　日前，美国能源部（DOE）宣布维利安半导体设备有限公司（Varian Semiconductor Equipment Associates）获得了SunShot计划的资助，该公司随后公布了能源部480万美元经费的用途，并详细介绍了其正在进行的研究开发。

　　目前，常见的太阳能电池由于正面电极遮挡阳光，导致了效率降低。而交错背接触（IBC）太阳能电池的金属电极都位于电池的背面，正面的受光面积变大，从而可以吸收更多太阳能。维利安公司称由于IBC太阳能电池效率更高，其单位面积的输出功率也相应更大，这种电池设计可以降低组件成本，减少系统开支，提高发电功率。

　　维利安公司表示，使用传统工艺生产IBC电池成本较高，这限制了IBC电池的大规模应用。维利安公司计划在这个研发项目中采用离子注入工艺，将IBC电池的生产步骤缩减30%到40%,从而降低其制造成本。维利安公司称，离子注入工艺还可以降低生产差异，简化操作步骤，减少电池的破损率和制作周期，从而提高产量。该公司强调，使用离子注入工艺生产IBC电池不但可以获得更高的效率，还可以达到比现有正面电极技术更低的每瓦生产成本。

　　维利安公司负责商业开发的副总裁保罗·沙利文（Dr. Paul Sullivan）博士表示，“我们很荣幸成为SunShot计划的资助对象，维利安是其中唯一一家从事硅基太阳能电池生产的公司。这些奖金将用于我们的技术研发，确保先进高效的IBC电池结构投入生产，这将大大简化制造工艺，从而将太阳能电池板的生产成本降到最低。”

　　Suniva公司日前宣布其使用离子注入技术生产的太阳能电池效率达到19%,而其正是维利安公司的客户之一。维利安相信其领先的技术将为公司带来丰厚的回报，2011年公司收入预计在2000万到3000万美元之间。