w兆半w推出Generation II XS&#8482； DrMOS器件 裼6mm x 6mm封b提供高_94%的峰值效率

高效率、大流理能力和小外形尺寸是源O人Tx裼渺峨赫{器解Q方案的元件的至P重要的因素，榱M足@一需求，全球I先的高性能功率和便ya品供商w兆半w公司(Fairchild Semiconductor)_l出一系列Generation II XS DrMOS (集成式悠 + MOSFET) 器件，@些器件能蛱峁└咝率和高功率密度，可O人TM足不同用的特定O需求。

Generation II XS DrMOS器件裼眯⌒6mm x 6mm高性能clip PQFN封b，具有^高的系y效率，在12Vin、1Vout和25Al件下重d效率高於91.5%，峰值效率t超^94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz_Pl率下咦鳎K具有最高50A的流理能力。

w兆半w利用其在的MOSFET、O悠IC和封b技g方面的技gｉL，Generation II XS DrMOS器件M行化，F更高的效率K_l新的功能。@些技g提升使得Generation II XS DrMOS系列器件成榈镀服掌鳌⒏咝阅苓[蛑靼濉⒏咝阅芄P本X、@卡，以及大流DC-DCdc(point-of-load)DQ器等用的理想x瘛
Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三B平以匹配Intel® 4.0 DrMOS，K可兼容市錾系亩喾NPWM控制器。@些器件能蝻@著p少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET屏蔽O技g而a生的振噪。同步FET集成了一肖特基二O管，免除外部n器路，提高w性能和功率密度，同rp少子每臻g和成本。Generation II XS DrMOS器件可以榭艏尤胍豁^缶功能，可在故障期g防止出F^r。

Generation II XS DrMOSa品系列能M足不同客艉用需求。

w兆半wGeneration II XS DrMOS系列器件提供I界I先技g，以ΜF今子O所遇到的能效和外形尺寸挑稹＿@些器件是w兆半w高能效的功率模M、功率分立和光子解Q方案的一部分，能蛟诠β拭舾用中F最大能。