s1200V沟槽型场截止IGBT器件

【摘要】：安森美24日扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性。这些最新IGBT器件增添至安森美半导体现有超过30款的IGBT产品系列中，将产品的额定电流能力提升至最高40 A。这些产品中包含专门针对太阳能及不间断电源(UPS)应用高性能电源转换的器件。

       2012年10月24日，应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。

       这些新器件提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性。这些最新IGBT器件增添至安森美半导体现有超过30款的IGBT产品系列中，将产品的额定电流能力提升至最高40 A。这些产品中包含专门针对太阳能及不间断电源(UPS)应用高性能电源转换的器件。

       安森美半导体功率分立产品高级总监兼总经理John Trice说：“全球能耗的大幅增加及对经济及环境预计带来的不利影响，持续推动对更高性能功率分立元器件的需求。这些新一代器件在提供高性价比及业界领先能效的同时无损强固性。安森美半导体专有的沟槽型场截止技术能为工程师在应用其电源系统设计时提供更丰富的选择。”

       第一组新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。这些产品采用强固及高性价比的沟槽型技术结构，为高频开关应用提供优异的性能。低开关损耗及超快恢复二极管使它们非常适合于高频太阳能、UPS及逆变焊机应用。这些器件分别拥有40 A、25 A及15 A的额定集电极电流(IC)。三款器件均经过高度优化，用于频率在10千赫兹(kHz)至40 kHz的开关应用，提供低导通电压(VCEsat)及低门电荷(Qg)特性，并具备超快恢复能力，提供极低开关损耗，以保持低功率耗散。这些新IGBT器件都提供?55 °C至+150 °C的工作结温。

       第二组新器件也拓宽了安森美半导体的沟槽型场截止IGBT器件阵容，将产品额定电流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及强固的短路特性，带有快速恢复二极管，用于低频(2 – 20 kHz)硬开关应用，如电机控制变频应用。与这两款器件相辅相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，这些器件具有均衡的开关及导电损耗，用于中等工作频率(15 – 30 kHz)的电磁感应加热及其它软开关应用，如电火锅、电饭煲及微波炉等电器。

封装及价格

       NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均采用紧凑的无铅TO-247封装，每批量10,000片的单价分别为2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。（责编:damon）