FinFET竞争激化 台积将组大联盟抗三星、Intel

　　晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化(EDA)供应商等合作夥伴的力量，强化在FinFET市场的竞争力。

　　台积电董事长暨总执行长张忠谋提到，今年台积电虽屡创季营收新高，但第四季因客户调整库存可能出现微幅下滑的情形。

　　台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，台积电在20奈米(nm)市场仍未看到具威胁性的对手，可望延续制程领先脚步，目前已开始安装设备，明年第一季将如期量产。然而，他也坦言，随着一线晶圆厂纷纷于2015年进入14或16奈米FinFET制程后，台积电确实将面临更大的竞争压力，特别是来自三星、英特尔等IDM大厂的威胁力道最剧，必须提早发动因应策略。

　　事实上，FinFET技术更复杂、投资金额也更巨大，晶圆代工厂很难再以孤军奋战的策略进行研发，因此台积电正如火如荼组织产业同盟，目前已与益华电脑(Cadence)、明导国际(Mentor Graphics)等EDA工具商，以及安谋国际(ARM)和Imagination等IP业者达成共识，未来将共同在台积电开放创新平台(OIP)上挹注创新技术能量，加速优化16奈米FinFET制程。张忠谋认为，产业大联盟重要性在于相互融合不同厂商的长处，以研制最出色的制程解决方案，这将是台积电与IDM较劲最关键的优势。

　　除联合异业夥伴共同出击外，张忠谋也透露，台积电在今明两年都将以95～100亿美元的高额资本支出，不断扩充FinFET研发团队和产能，现已与大客户展开合作，抢先掌握许多16奈米FinFET设计定案(Tape Out)。

　　此外，台积电也紧锣密鼓投入再下一代的10奈米FinFET制程布局，避免在任何新技术节点的发展被对手超前。据悉，该公司与艾司摩尔(ASML)共同投入研发次世代极紫外光(EUV)微影技术，已逐步进入收割阶段，可望在2017年正式用于10奈米晶圆，大幅提高吞吐量与生产效率。

　　张忠谋强调，在FinFET时代，台积电以晶圆代工厂的定位与IDM角逐市场还算有竞争力，但比较辛苦;若以产业大联盟的方式将非常有竞争力，有信心能提供更完整的制程服务和更高品质的晶片。